Veronica半导体速报

1. 台积电法说会证实评估与Terafab合作赴德州扩产，倾向自行营运。

2. 属前道晶圆制造与先进封装产能布局。

3. 影响台积电、Terafab、GF及日月光、矽品、力成等封测厂。

4. AI芯片要求晶圆与封装同步扩产，美国在地反应正向。

^{[2] [3]}

1. 上海工博会展示Landau Flint EUV光源原型，连续运行100小时，功率15W。

2. 属光刻环节EUV光源子系统，光刻机核心部件。

3. 影响ASML垄断与中国EUV自主化进程。

4. 功率远低于量产250W，生产版5年后，或先用于光罩检测。

^[1]

1. 长鑫存储规划2026年底推出4F² DDR5 RDIMM，新凯来同期亮相展示设备自主化。

2. 属DRAM前道制造，涉及光刻、薄膜、蚀刻等步骤。

3. 影响长鑫、新凯来及三星、SK海力士、美光等DRAM格局。

4. 4F²可提升密度，但DUV延伸争议与量产良率仍待观察。

^[7]

1. ASML订单积压突破产能上限，AI算力芯片设备需求为核心引擎。

2. 属光刻设备供应，直接卡前道晶圆制造产能。

3. 影响ASML及台积电、三星、英特尔等扩产节奏。

4. 设备交期紧张或限制晶圆厂扩张，资金持续向设备端传导。

^[4]

1. 三星电机投资约50亿美元扩产ABF载板，设备交期拉长添不确定性。

2. 属封装环节ABF载板基板，直接关系AI/HPC芯片封装。

3. 影响三星电机、ABF设备与材料供应链。

4. 设备紧缺或延缓扩产，与HBM封装设备推迟现象类似。

^[5]

1. 长江存储拓展企业级SSD，Counterpoint预估2026年营收增速为行业6倍。

2. 属NAND Flash制造与封装测试，面向服务器/数据中心。

3. 影响长江存储、三星、SK海力士、Solidigm等企业级存储供应商。

4. AI驱动NAND超级周期，海外Design win成关键挑战。

^[6]