本期聚焦OCP 2026与SEMICON West 2026双展:GF切入台积电CoWoS中介层供应,应材密集揭示先进封装与材料工程方向,三星、SK海力士分别推进2nm与HBF/3D DRAM。

厂商动态

三星奥斯汀人力减32%,泰勒厂集中资源冲刺2nm量产

1.三星美国德州奥斯汀园区2025年员工数减少32%,泰勒厂将重兵集结,目标2026年底启动2nm晶圆代工。

2.属于【晶圆制造】前道环节,涉及光刻与【蚀刻】等关键步骤。3.影响三星晶圆代工客户(如【高通】、特斯拉)及当地设备材料供应商布局。4.2nm是先进制程分水岭,三星在泰勒厂全力冲刺,显示其欲与台积电争夺先进制程订单。

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技术进展

NVIDIA Rubin Ultra NVL576采用共封装光学实现scale-up互连

1.OCP 2026幻灯片显示,NVIDIA下一代Rubin Ultra NVL576将采用共封装光学(CPO)实现scale-up互连,量产时间未定。

2.属于光互连与先进封装环节,将光学引擎与交换芯片封装在一起。3.可能改变AI服务器互连架构,利好Eliyan、Tower及光模块供应链。4.CPO是打破互连带宽瓶颈的关键,若NVIDIA旗舰采用,将加速从可插拔光模块向共封装转型。

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SK海力士:2027年1月确定HBF规格,3D DRAM成AI时代关键

1.SK海力士CDO安炫表示,2027年1月将确定HBF最终规格,并加快3D DRAM开发以应对AI推理需求。

2.属于存储芯片制造,涉及DRAM堆叠与封装,对应薄膜沉积、蚀刻、封装等步骤。3.影响SK海力士与三星、美光的存储竞争格局,也影响AI加速器设计。4.HBM之后,HBF和3D DRAM有望解决内存带宽与容量瓶颈,是存储技术路线的重要变数。

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应材密集发声:先进封装、GAA、背面供电、3D DRAM材料工程成关键

1.应用材料在SEMICON West表示,先进封装营收未来数年挑战50亿美元,并强调GAA、背面供电、3D DRAM依赖材料工程突破。2.覆盖薄膜沉积、【蚀刻】、CMP及先进封装等多个核心制造步骤。3.直接利好设备厂商应用材料,并影响采用这些技术的台积电、三星、英特尔等客户。4.材料工程是先进制程继续微缩的关键,应材布局揭示了未来设备需求重心。

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供应链变化

格罗方德与台积电达成20亿美元硅中介层供货协议,切入CoWoS生态圈

1.格罗方德将在纽约马耳他厂扩建硅中介层产能,为台积电CoWoS先进封装供料,规模约20亿美元。

2.属于先进封装的前段晶圆级制程,对应流程中的封装步骤之前的硅片加工环节。3.影响台积电产能分配及日月光等封装厂,GF成为CoWoS生态圈关键供应商。4.CoWoS是AI芯片封装核心,台积电分散中介层供应风险,新入行者可见先进封装如何驱动前道晶圆厂合作。

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政策与贸易

美国商务部施压半导体业者多用美国产能

1.美国商务部半导体投资与创新执行董事在SEMICON West表示,除补贴台积电建厂,也向CEO们明示要多用美国产能。

2.属于供应链分配与政策引导,直接影响晶圆制造、封装等环节的产地选择。

3.可能影响台积电、三星、英特尔等在美国的产能利用率及设备材料订单流向。4.政策压力可能改变全球半导体供应链布局,对依赖亚洲产能的公司构成挑战。

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