Veronica半导体速报

1.京元电宣布与NVIDIA签订预付款协议，支持美国全资子公司AeternZ建置测试产能，供应链传厂址将落于德州沃斯堡。

2.属于后道测试环节，是芯片出厂前验证功能与性能的最后关键步骤。3.影响京元电、NVIDIA及美国测试供应链，可能分流部分亚洲测试订单。4.NVIDIA提前锁定在美测试产能，应对AI芯片测试产能紧缺及地缘风险，测试在地化趋势加速。

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1.长鑫存储宣称2026年底前量产4F²架构DRAM，部分观点认为其已逼近或超越三星、SK海力士；业内另一派认为这是在13-14nm相对宽松节点用DUV延长寿命，而非技术跨越。

2.属于前道晶圆制造中的存储单元结构定义，核心涉及光刻、蚀刻、薄膜沉积等步骤，将存储单元面积从6F²缩至4F²。

3.可能影响三星、SK海力士、长鑫存储及DRAM设备与材料供应商。4.存储技术竞赛常被用来解读国产替代进展，但需理性看待良率与EUV应用差异，避免过度解读。

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1.尼康推出DSP-110数字光刻系统，分辨率1.5μm，计划2027年出货，瞄准先进封装市场。

2.属于后道封装中的图形化步骤，用于封装基板、中介层或再分布层的线路制作。3.尼康进入封装光刻设备市场，服务先进封装厂，设备多元化趋势增强。4.先进封装已成为AI芯片性能关键路径，光刻设备从晶圆制造延伸至封装环节，显示设备商加速布局后道市场。

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1.SEMI技术联盟副总裁Beth Keser表示，因AI与数据中心芯片封装尺寸放大过快，玻璃基板市场影响时程从原本估2030年前后提前至2028年。

2.属于封装基板材料环节，涉及玻璃通孔、电镀、CMP等封装前段步骤。3.影响玻璃基板相关材料与设备供应链，以及先进封装厂。4.玻璃基板可改善大尺寸封装翘曲与电气性能，时程提前将加速供应链投资，是先进封装下一代关键材料。

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1.SEMI最新预测显示，全球300mm晶圆厂设备支出2026年将达1490亿美元，同比增长31%，2029年进一步升至2270亿美元。

2.属于前道晶圆制造资本开支，覆盖光刻、沉积、蚀刻、CMP等几乎所有前道设备采购。3.影响晶圆制造设备供应商及相关零部件厂商，扩产趋势明确。4.设备支出是产能扩张的先行指标，预示未来三年晶圆制造规模持续放大，但需关注后周期供需平衡风险。

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1.供应链消息称，由于HBM产能瓶颈，2027年下半GPU与ASIC将转向8层HBM降规方案；同时HBM扩产排挤旧规格，DDR4合约价近3个月上涨24%，涨幅反超DDR5。

2.属于存储芯片制造与封装后的市场供需环节，涉及DRAM晶圆产能分配和HBM堆叠封装。3.影响三星电子、SK海力士等存储原厂及AI芯片供应商。4.AI需求导致存储产品结构剧变，HBM挤占传统DRAM产能引发价格连锁反应，需关注产能再平衡。

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