1.SemiWiki报道Hyper-NA EUV光刻技术路线,预计2036年可能到来,作为High-NA EUV之后的下一代光刻前沿。
2.属于光刻环节(步骤6),用于进一步提升分辨率,推动制程微缩。3.影响ASML、台积电、三星、Intel等先进制程厂商,以及配套材料设备商。4.新技术尚处早期,但为芯片制程长期演进提供方向,值得跟踪。
[1]本期聚焦光刻与存储两大方向:Hyper-NA EUV技术路线浮出水面,【长鑫存储】4F² DRAM架构年底落地;分析师澄清三星HBM4混合键合样品进展,FPGA供应紧张与涨价传闻升温。
1.SemiWiki报道Hyper-NA EUV光刻技术路线,预计2036年可能到来,作为High-NA EUV之后的下一代光刻前沿。
2.属于光刻环节(步骤6),用于进一步提升分辨率,推动制程微缩。3.影响ASML、台积电、三星、Intel等先进制程厂商,以及配套材料设备商。4.新技术尚处早期,但为芯片制程长期演进提供方向,值得跟踪。
[1]1.Reddit消息称【长鑫存储】计划年底落地4F² DRAM单元架构,首款产品瞄准服务器DDR5 RDIMM。2.涉及DRAM存储单元制造,核心在光刻与【蚀刻】步骤,4F²架构可大幅提升存储密度。3.影响长鑫存储、三星、SK海力士、美光等DRAM厂商,以及服务器内存市场。4.若量产将提升国产DRAM在服务器领域的竞争力,可能影响全球DRAM供应格局。
[2]1.分析师Damnang公开澄清,三星已于2025年Q4交付HBM4混合键合样品,但当前量产HBM产品尚未采用混合键合。
2.属于封装环节(步骤15),混合键合是先进封装关键技术,用于HBM堆叠。3.影响三星、SK海力士、美光等HBM厂商,以及混合键合设备/材料供应商。4.澄清市场对三星HBM技术落后的误读,强调混合键合仍处样品阶段,尚未影响当前HBM市场份额。
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