本期聚焦AI存储与先进封装供给紧张:VSMC新加坡12吋厂满订扩产,三星与长鑫在DRAM技术路线竞争升级;格罗方德卡位GaN/硅光子,HBM堆叠20层与PCB高阶材料缺料进一步加剧供应链瓶颈。

厂商动态

VSMC新加坡12吋厂产能预订一空 Fab 2评估启动

1.发生了什么:VSMC与恩智浦合资的12吋晶圆厂在新加坡淡滨尼正式开幕,首座厂产能已被客户预订一空,Fab 2评估启动。

2.属于产业链哪个环节:前道晶圆制造,覆盖从晶圆投入到晶圆工艺的完整流程。

3.可能影响的公司或赛道:世界先进、恩智浦及车用/模拟/电源管理芯片客户。

4.为什么值得关注:成熟制程扩产反映车用与模拟需求强,新增产能将拉动设备与材料需求。

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格罗方德取得台积电GaN授权 硅光子扩产卡设备交期

1.发生了什么:格罗方德取得台积电GaN晶圆代工技术授权,瞄准AI高压应用;同时整合新加坡8/12吋硅光子技术,扩产受设备交期限制。

2.属于产业链哪个环节:前道晶圆制造(GaN功率/射频工艺)及硅光子制造(光互连,涉及晶圆与封装)。

3.可能影响的公司或赛道:格罗方德、台积电(2027年退出GaN代工)、AI电源与数据中心光互连客户。

4.为什么值得关注:台积电退出GaN后格罗方德接棒,特殊制程成为AI功率与硅光子供应链新变量;设备交期可能限制扩产节奏。

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技术进展

HBM堆上20层 ASM/ASMPT/KLA示警先进封装量测良率硬仗

1.发生了什么:ASM、ASMPT、KLA在Innovate Together 2026指出,下一代HBM堆叠将达20层,先进封装的量测与良率挑战加剧。

2.属于产业链哪个环节:封装(先进封装堆叠、键合及检测/量测)。

3.可能影响的公司或赛道:HBM制造商(SK海力士、三星、美光)及设备商ASM、ASMPT、KLA。

4.为什么值得关注:HBM堆叠层数越高,键合与检测越难,设备能力直接决定HBM产能与AI加速器供货。

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三星将B1b混合键合正式纳入10纳米以下DRAM核心路径

1.发生了什么:三星将原本属专案性质的B1b晶圆对晶圆混合键合升格为10纳米以下DRAMD0a的核心工艺,HBM5同步受惠。

2.属于产业链哪个环节:封装(晶圆对晶圆混合键合)与DRAM前道制造。

3.可能影响的公司或赛道:三星、SK海力士、美光及混合键合设备/材料供应商。

4.为什么值得关注:DRAM竞争从微缩转向堆叠,混合键合成为下一代HBM与DRAM关键分水岭,带动新设备需求。

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供应链变化

中国加速3D DRAM布局 长鑫存储扩产筹码大增

1.发生了什么:DRAM缺货潮下【长鑫存储】近6个月工厂/设备投资合约余额增至3倍;中国中科院微电子所、北京超弦、长鑫科技、北方华创等从架构到设备同步布局3D DRAM。

2.属于产业链哪个环节:DRAM前道晶圆制造(3D堆叠工艺)及半导体设备端。

3.可能影响的公司或赛道:长鑫存储、北方华创、三星/SK海力士/美光及中国存储供应链。

4.为什么值得关注:中国借缺货窗口和3D架构切入先进存储,可能改变DRAM竞争格局并加速设备本土化。

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AI推升PCB身价 高阶材料缺料至2027 两岸板厂赴港IPO

1.发生了什么:AI服务器与高速光模块需求推升PCB价值,但Low CTE、Low Dk玻纤布及HVLP4铜箔等高阶材料缺货将延续至2027,两岸板厂掀起赴港IPO。

2.属于产业链哪个环节:封装载板/PCB(下游组装与芯片封装相关)。

3.可能影响的公司或赛道:AI服务器/光模块厂、PCB与载板厂、玻纤布/铜箔材料商。

4.为什么值得关注:PCB从传统零组件变为算力升级关键瓶颈,材料短缺可能限制AI硬件出货并重估供应链价值。

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