1.中科院微电子所宣布建立不依赖EUV的3nm以下GAA元件研发路径,用DUV微影实现堆叠纳米片通道GAA。
2.属于前道光刻与【蚀刻/薄膜沉积】环节,替代EUV进行先进制程图形化。3.影响中国逻辑芯片厂与设备材料供应链,可能带动国产光刻胶、刻蚀设备需求。4.值得关注:若DUV+多重曝光路线量产,将改变先进制程设备格局,也反映出口管制下的技术突围。
[1] [2]本期重点:中国官宣DUV光刻下完成3nm GAA研发,存储产业美光512GB DDR5与LTA锁产能双热,AI先进封装路线竞争加剧。
1.NVIDIAAI平台蓝图确立,2H26 Vera Rubin(NVL4/8/72)密集出货,2H27由Vera Rubin Ultra NVL576及Groq 3接棒。2.涉及AI芯片设计与先进封装(CoWoS/HBM)需求,带动前道制造与封装产能。3.影响台积电、SK海力士、鸿海等供应链。4.值得关注:AI算力向整机柜形态演进,对HBM、CoWoS及供电散热提出更高要求。
[7]1.欣銓、矽格积极卡位硅光子跨阻放大器(TIA)测试,已有美系大客户锁定产能。
2.属于测试环节,针对光通信模组中的硅光子元件进行电性能验证。3.影响欣銓、矽格等OSAT厂及光模块供应链。4.值得关注:AI数据中心带动光通信需求,硅光子测试成为新增长点,测试设备与产能竞争升温。
[9]1.传Google 2027年量产的TPU项目Humufish原定采用英特尔EMIB-T先进封装,现考虑改回台积CoWoS。
2.属于封装环节,影响IC载板与封装设备订单。3.影响英特尔、台积电、联发科及载板厂欣兴、景硕等。4.值得关注:先进封装路线竞争白热化,若转向将冲击英特尔封装业务并强化台积CoWoS主导地位。
[6]1.中国因EUV受限,将先进封装视为突破口,已有约20家OSAT厂投入Chiplet及先进封装量产。
2.属于封装环节,是后道制造关键。3.影响长电科技、通富微电、华天科技等中国封测厂及设备材料商。4.值得关注:先进封装可部分弥补前道微缩受限,中国生态系快速壮大,或改变全球封装竞争格局。
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