本期聚焦High-NA EUV从实验跨入量产及12英寸光掩模新平台,同时DRAM合约价暴涨59.5%显示存储供给紧张;研究端涌现超导电路、碳绝缘体互连等前沿进展。

技术进展

High-NA EUV跨入量产,Intel、台积电、三星联合ASML推动12英寸光掩模

1.发生了什么:Intel Foundry与ASML在SPIE会议上宣布High-NA EUV已从开发工具转为生产工具,Intel已处理数万片晶圆;台积电、三星与ASML启动12英寸光掩模计划。

2.属于产业链哪个环节:直接对应光刻步骤,并延伸至掩模制造与检测。

3.可能影响的公司或赛道:ASML、Intel、台积电、三星及光刻胶、掩模基板供应商。

4.为什么值得关注:High-NA EUV是2nm及以下节点的关键,12英寸掩模可提高效率降低成本,是先进制程竞赛核心变量。

[1] [2] [3] [4] [5]

imec展示密度3.8M junctions/cm²的NbTiN超导约瑟夫森结电路

1.发生了什么:imec在2026 ASC会议展示三金属层NbTiN基【约瑟夫森结】电路,电路设计密度达每平方厘米380万结。

2.属于产业链哪个环节:涉及薄膜沉积、光刻、【蚀刻】等前道步骤,用于超导电路制造。

3.可能影响的公司或赛道:imec及合作伙伴,超导计算、量子计算等前沿领域。

4.为什么值得关注:超导电路是低温计算/量子接口的关键路径,高密度结阵列是超导逻辑实用化的重要里程碑。

[7]

研究前沿:碳绝缘体互连、2nm M3D SRAM、GaN极化超结等

1.发生了什么:最新研究包括碳绝缘体用于互连、2nm BEOL pass-gates的M3D SRAM、GaN极化超结、可编程硅光子等。

2.属于产业链哪个环节:涉及薄膜沉积、【互连制造】、晶体管结构和硅光子等多个环节。

3.可能影响的公司或赛道:先进逻辑、存储、功率半导体、光互连等领域的研究机构和设备材料商。

4.为什么值得关注:碳绝缘体可降低互连RC延迟,M3D SRAM推进2nm单片三维集成,GaN超结提升功率密度,是未来芯片关键候选技术。

[8] [9]

智能离群点检测提升芯片测试可靠性,防止“及格但失效”芯片流出

1.发生了什么:Semiconductor Engineering文章探讨智能【离群点检测】,指出芯片测试合格不代表实际系统可靠工作,需加强统计异常检测。

2.属于产业链哪个环节:对应测试步骤,以及数据分析和良率管理。

3.可能影响的公司或赛道:测试设备商(Advantest、Teradyne等)、晶圆厂和IDM的测试工程团队。

4.为什么值得关注:车规/数据中心可靠性要求提高,传统pass/fail测试不足以捕获边缘缺陷,离群点筛选成为良率与质量关键防线。

[11]

政策与贸易

SEMI发布立场文件,呼吁欧盟扩充Chips Act 2.0提升竞争力

1.发生了什么:SEMI发布政策建议,呼吁欧洲立法者利用Chips Act 2.0提升半导体竞争力、强化【供应链韧性】,并提出九项建议。

2.属于产业链哪个环节:涉及晶圆制造、设备、材料、封测等全链条,尤其影响先进制程和成熟制程产能投资。

3.可能影响的公司或赛道:英飞凌、意法半导体等欧洲企业,ASML、ASM等设备商,以及赴欧建厂的国际大厂。

4.为什么值得关注:欧洲正试图减少对亚洲制造依赖,政策方向将影响补贴分配和产能布局,尤其在车规和工业芯片领域。

[10]

市场与需求

Q2 DRAM合约价环比暴涨59.5%,供应商库存处于历史低位

1.发生了什么:TrendForce数据显示,Q2DRAM合约价环比上涨59.5%,季度营收近1547.3亿美元,供应商库存仍处历史低位,新增供应主要分配给HBM。

2.属于产业链哪个环节:存储芯片制造与测试,核心影响【DRAM晶圆制造】和封装测试。

3.可能影响的公司或赛道:三星、SK海力士、美光等大厂,以及服务器、手机、PC等下游。

4.为什么值得关注:DRAM价格暴涨反映AI/HBM挤压标准DRAM供给,涨价推高终端成本,存储超级周期延续。

[6]