Veronica半导体速报

1.英特尔PC CPU再传2026年10月涨价10%，Small Core产品线或走向EOL。

2.属芯片设计/终端处理器环节，不直接对应16步，但影响下游设备采购与生态。

3.影响英特尔、【高通】、【联发科】及IPC/IoT设备厂。

4.涨价与产品线收缩可能加速边缘计算客户转向非x86方案。

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1.三星逾50%的4nm代工产能转投HBM4基础裸晶，2H26向NVIDIA、博通、AMD供货。

2.对应前道4nm晶圆制造与HBM封装中的Base Die（第15步封装前）。

3.影响三星代工、NVIDIA/博通/AMD及SK海力士、美光。

4.Base Die从I/O控制扩展到电源管理与测试，HBM竞争转向底层设计。

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1.CPO进入量产导入，但Insertion 1到4测试各有难题，耗时远超传统电性测试。

2.对应后道测试（第16步），负责CPO光引擎良率验证。

3.影响CPO封装厂、测试设备商与OSAT。4.2027年测试提速有望降低CPO成本与良率门槛，加速AI光互连落地。

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1.六氟化钨需求因存储扩产暴增，钨价翻倍，默克2026 Q3起无法保证稳定供货。

2.对应前道第10步气相沉积（CVD），用于钨填充与接触孔。

3.影响默克、中船特气及三星、SK海力士、美光等晶圆厂。

4.特气断供会直接卡住先进制程产能与良率。

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1.中国设备商以前段制程技术为基础，加速推进后段封装设备国产化。

2.从前道光刻/蚀刻/沉积设备延伸至第15步封装与第16步测试。

3.影响中国设备商、OSAT封装厂及美国等后段设备供应商。

4.美国出口管制与存储器技术驱动前后段界线模糊，改变设备竞争格局。

^[10]

1.三星、SK海力士DRAM库存剩不到10天；威刚、十铨8月营收创新高，旺宏/钰创等前8月大涨。

2.对应DRAM前道制造、封装测试与模组（第1~12步+第15~16步）。

3.影响三星SK海力士、NVIDIA及威刚、十铨、旺宏等。

4.存储缺口扩大，NVIDIA重新评估每颗GPU的HBM容量，三星S5转产DRAM传闻被业界泼冷水。

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