Veronica半导体速报

1. 英飞凌COO Alexander Gorski在SEMICON Taiwan 2026接受专访，称当前芯片短缺比疫情严重，恢复需要更长时间。

2. 德累斯顿新厂为12英寸功率半导体晶圆厂，覆盖前道薄膜沉积、掺杂及后道封装测试环节，最快2年产能满载。

3. 影响英飞凌自身产能、车用/工业芯片客户，以及功率半导体IDM赛道。

4.为什么值得关注：一座晶圆厂从投产到满载需要2年以上，意味着缺货可能长期存在，客户需提前锁定产能。

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1. 三星HBM市占率单季大增12个百分点至33%，仍落后SK海力士的50%；SK海力士评估光州与龙仁投资双轨并行；市场消息称长鑫启动HBM3E小量生产。

2. HBM涉及【DRAM存储晶圆制造】与TSV先进封装，对应流程地图后道封装步骤。

3. 影响三星、SK海力士、【长鑫存储】以及AI加速器/GPU供应链。

4.为什么值得关注：HBM是AI芯片旁的高速内存堆叠，HBM3E量产能力决定谁能供应AI算力最关键存储。

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1. 瑞银报告分析中国微影技术实力，预计未来2-5年中国可量产浸潤式DUV设备，但EUV专利水平仅相当于ASML 2004年。

2. 微影设备对应流程地图第6步光刻，是把电路图案转移到晶圆上的核心步骤。

3. 影响ASML、中国国产光刻机供应链、先进制程扩产路线。

4.为什么值得关注：EUV是7nm以下制程的必要工具，若中国仅掌握DUV，将难以量产最先进逻辑芯片。

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1. 台积电面临绿电匹配难题，台电沙盒3.0计划预计10月上路，协助企业解决再生能源余电问题。

2. 电力是所有晶圆制造步骤（从晶片制备到【蚀刻】、沉积等）的基础能源，绿电不足会限制扩产。

3. 影响台积电及台湾半导体供应链的净零与产能计划。

4.为什么值得关注：半导体制造极耗电，若绿电匹配机制不解决，先进制程扩产可能因能源约束而放缓。

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1. 美国商务部长Lutnick再度施压三星、SK海力士扩大对美投资，并暗示韩国IC出口额超越台湾可能影响关税协议。

2. 虽非直接对应16步中的某一工艺，但晶圆厂资本开支与选址直接改变各环节的【产能布局】。

3. 影响三星、SK海力士的美国建厂计划及韩国半导体出口格局。

4.为什么值得关注：半导体建厂昂贵且周期长，关税与投资施压会迫使企业重新评估扩产地，从而改变全球产能分布。

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1. 群联执行长潘健成透露正抢收中系模组厂低价NAND库存，并称原厂表示2027年缺口难以预估，认为扩产致供过于求的想法太天真。

2. NAND Flash制造覆盖存储晶圆前道薄膜沉积、【蚀刻】及后道封装测试。

3. 影响群联、NAND原厂（三星、SK海力士、铠侠、美光）及AI服务器存储供应链。

4.为什么值得关注：模组厂抢库存显示NAND价格可能继续上涨；AI需求让存储原厂即使扩产仍预期供应紧张。

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