1.发生了什么：Reddit r/chipdesign用户发起讨论，指出GAA FET在2nm以下仍面临量子隧穿挑战，质疑仅以硅电子迁移率为唯一基准的局限性，并询问谷电子学在ARM芯片上的实验基准。原文 CMOS的学术机构和TCAD工具商。

4.为什么值得关注：新人可理解：先进制程进入2nm后传统硅晶体管漏电加剧，需要新结构和新材料；该讨论提示行业在寻找硅之外的新范式，但无实测数据，属业内讨论/观点，需谨慎看待。

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