1.发生了什么:SemiWiki报道Intel18A-P节点将RibbonFET和背面供电推进到下一代,代表先进工艺关键突破。
2.产业链环节:前道晶圆制造中的晶体管架构与互连,具体涉及栅极、掺杂、背面减薄与背面金属化等步骤。
3.可能影响的公司或赛道:Intel代工、台积电/三星竞争对手、EDA/IP与设计客户。
4.为什么值得关注:RibbonFET和背面供电是2nm以下关键路线,18A-P若量产将影响先进制程竞争格局与代工订单选择。
[3]本期聚焦AI驱动扩产与设备材料双吃紧、Intel18A-P推进RibbonFET/背面供电,以及6吋SiC基板涨价与先进封装/CPO竞赛升温。
1.发生了什么:SemiWiki报道Intel18A-P节点将RibbonFET和背面供电推进到下一代,代表先进工艺关键突破。
2.产业链环节:前道晶圆制造中的晶体管架构与互连,具体涉及栅极、掺杂、背面减薄与背面金属化等步骤。
3.可能影响的公司或赛道:Intel代工、台积电/三星竞争对手、EDA/IP与设计客户。
4.为什么值得关注:RibbonFET和背面供电是2nm以下关键路线,18A-P若量产将影响先进制程竞争格局与代工订单选择。
[3]1.发生了什么:中国6吋SiC基板出现结构性供需反转,供应商不接额外订单,现有合约交付后将启动涨价;非中国区报价较Q1已涨10%。
2.产业链环节:晶片制备环节,主要为碳化硅长晶与切磨抛,为后续功率器件外延/制造提供衬底。
3.可能影响的公司或赛道:SiC基板供应商、功率器件厂(英飞凌、安森美、意法等)、新能源车/光伏模块厂。
4.为什么值得关注:功率器件是电动车和充电桩核心,基板涨价会传导至器件成本,是功率半导体景气的领先信号。
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