本期聚焦AI驱动扩产与设备材料双吃紧、Intel18A-P推进RibbonFET/背面供电,以及6吋SiC基板涨价与先进封装/CPO竞赛升温。

技术进展

Intel 18A-P推进RibbonFET与背面供电技术,超越第一代节点

1.发生了什么:SemiWiki报道Intel18A-P节点将RibbonFET和背面供电推进到下一代,代表先进工艺关键突破。

2.产业链环节:前道晶圆制造中的晶体管架构与互连,具体涉及栅极、掺杂、背面减薄与背面金属化等步骤。

3.可能影响的公司或赛道:Intel代工、台积电/三星竞争对手、EDA/IP与设计客户。

4.为什么值得关注:RibbonFET和背面供电是2nm以下关键路线,18A-P若量产将影响先进制程竞争格局与代工订单选择。

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三星公开400层V-NAND技术细节,瞄准128TB AI存储;长鑫LPDDR6量产遭业内质疑

1.发生了什么:三星公开第10代V10 BV-NAND技术细节,推进400层V-NAND以上;长鑫存储LPDDR6宣称全球首发但实际性能与量产规模遭质疑。

2.产业链环节:存储芯片前道制造,主要集中在薄膜沉积、蚀刻、高深宽比接触孔等步骤。

3.可能影响的公司或赛道:三星、SK海力士、长鑫存储、存储设备/材料供应商。

4.为什么值得关注:AI数据中心推动高容量NAND与高带宽内存需求,400层V-NAND代表单位密度与功耗改善;【长鑫存储LPDDR6】若量产不如预期将影响国产存储替代节奏。

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先进封装设备竞赛升温:盛合晶微2.5D封装突破3.3倍光罩,Trumpf、蔡司加码量测与键合

1.发生了什么:盛合晶微2.5D封装突破【3.3倍光罩】尺寸;Trumpf CTO称量测、键合成先进封装新战场;蔡司规划台湾半导体创新中心。

2.产业链环节:封装与测试环节,涉及2.5D/3D异质集成、晶圆键合、检测量测等步骤。

3.可能影响的公司或赛道:盛合晶微、Trumpf、蔡司、台厂设备/封装厂。

4.为什么值得关注:AI芯片越来越依赖先进封装扩大互连面积,光罩尺寸突破和量测/键合能力决定封装良率与产能上限,是后摩尔时代关键竞赛。

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博通:CPO未必适合Scale-up,Scale-out可省7成功耗;大银攻硅光子检测设备

1.发生了什么:博通高管在SEMICON Taiwan表示CPO更适Scale-out并可省70%功耗;大银微系统攻硅光子检测设备,产能增2成、订单能见度至2Q27。

2.产业链环节:光互连/封装与测试,涉及硅光子、共同封装光学(CPO)及检测设备。

3.可能影响的公司或赛道:博通、大银、光模块厂(中际旭创等)、交换机/AI加速器厂。

4.为什么值得关注:AI规模化互联功耗成瓶颈,CPO路线选择影响800G/1.6T光模块和封装方案,也带动【硅光子检测设备】等新需求。

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供应链变化

台积电同时建20厂、设备采购近倍增,供应链面临AI需求挑战;华立称材料设备双吃紧

1.发生了什么:台积电侯永清表示公司同时建20座厂、设备采购近倍增;华立称先进封装与海外新厂开出带动材料、设备双吃紧。

2.产业链环节:覆盖晶圆厂扩建、设备采购及先进封装材料/设备供应,涉及从晶圆制造到封装测试的多个步骤。

3.可能影响的公司或赛道:台积电、设备供应商、材料商(华立)、载板/封装厂等。

4.为什么值得关注:【AI需求】增速超过供应链扩张能力,【设备采购近倍增】显示扩产强度,但材料设备双吃紧可能推升成本并拖慢扩产节奏。

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中国6吋SiC基板供给吃紧,供应商拒追加订单、下轮涨价成定局

1.发生了什么:中国6吋SiC基板出现结构性供需反转,供应商不接额外订单,现有合约交付后将启动涨价;非中国区报价较Q1已涨10%。

2.产业链环节:晶片制备环节,主要为碳化硅长晶与切磨抛,为后续功率器件外延/制造提供衬底。

3.可能影响的公司或赛道:SiC基板供应商、功率器件厂(英飞凌、安森美、意法等)、新能源车/光伏模块厂。

4.为什么值得关注:功率器件是电动车和充电桩核心,基板涨价会传导至器件成本,是功率半导体景气的领先信号。

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