SEMICON Taiwan 2026前后,AI需求持续向上游传导,NVIDIA财报印证算力军备赛,硅晶圆采购暴增与MLCC涨价显示材料供需紧张;同时3D封装、CPO与3D存储器技术路线加速演进。

厂商动态

NVIDIA财报显示AI军备赛未歇,FY28营收成长上看70%

1.NVIDIA 2QFY27营收突破960亿美元,数据中心营收近900亿美元,并预期FY28营收成长70%。

2.属于芯片设计环节,但反映下游AI服务器需求对半导体全产业链的拉动。

3.影响公司:NVIDIA及台积电、SK海力士等供应链伙伴。

4.AI算力需求依旧强劲,但财报也指出【记忆体与资金】成为新瓶颈,值得关注上游供给压力。

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技术进展

Marvell预估CPO商用先走NPO,2027年底放量;台湾以方形封装与CPO材料卡位

1.Marvell技术长Radha Nagarajan表示最先进入市场的不是完整CPO而是【NPO近封装光学】,预计2027年底放量;台湾材料业者认为方形封装(CoPoS、FOPLP)与CPO成为材料自制两大引擎。

2.属于先进封装(封装步骤)与光互连模块,涉及CPO/硅光子材料与封装平台。

3.影响公司:Marvell、台积电、日月光、李长荣先进材料等材料供应商。

4.CPO材料平台尚未收敛,台湾凭异质整合与先进封装争取关键席位,2027年商用时间点提供明确布局窗口。

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3D IC封装一年一代,台积电与日月光警示软件、载板、设备交期三大瓶颈

1.台积电先进封装副总何军指出3D IC先进封装一年一代,但软件与载板缺口比硬件更难解;日月光洪松井表示AI封装需求爆发却卡设备交期。

2.属于先进封装(封装步骤)及其配套设备、材料、软件工具环节。

3.影响公司:台积电、日月光、先进封装设备厂商、ABF载板厂;台积电计划进驻高雄白埔园区建材料设备验证平台。

4.先进封装竞争从产能扩展到软件与载板稀缺,瓶颈可能拖累AI芯片出货,设备与材料供应商应关注。

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三星揭3D存储器CUBE策略,zHBM效能上看8倍;DRAM三巨头聚焦3D堆叠

1.三星宣布以CUBE策略推进3D DRAM,包括新一代zHBM与zNAND-O,zHBM效能比传统HBM提升高达8倍,HBM5同步开发;三星、SK海力士、美光同台指出中介层传统

2.xD架构面临存储墙,需3D堆叠。

2.属于存储制造与3D堆叠封装(封装步骤)环节,延伸至HBM架构创新。

3.影响公司:三星、SK海力士、美光,以及HBM封测、TSV设备/材料供应商。

4.存储墙成为AI算力瓶颈,3D堆叠架构成为下一代HBM关键竞争点,将拉动立体封装与混合键合技术需求。

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化合物半导体升温:稳懋展示0.1微米GaN,TCL跨界锁定InP雷射晶片

1.稳懋展示0.1微米GaN技术,用于高频卫星通信;磷化铟InP成为AI算力瓶颈,TCL跨界入局锁定InP雷射晶片产能。

2.属于化合物半导体材料与器件制造,涉及外延、光刻等前道步骤,以及光通信激光器。

3.影响公司:稳懋、TCL、Lumentum、Coherent等光通信与化合物半导体厂。

4.化合物半导体成为AI与卫星通讯骨干,InP产能抢滩显示光互连上游材料卡位战开打,GaN在高频应用需求上升。

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供应链变化

SK海力士2Q26硅晶圆采购暴增104%,环球晶看好未来两年价量齐扬

1.SK海力士为提前备料,2Q26硅晶圆采购金额较上季翻倍;环球晶董事长徐秀兰表示AI改写硅晶圆需求结构,未来2年价量齐扬、双位数成长。

2.属于硅晶圆制备环节,是芯片制造最上游的材料步骤。

3.影响公司:环球晶、SUMCO、Siltronic等硅晶圆厂,以及SK海力士、三星等内存厂。

4.AI需求正向最上游材料端扩散,硅晶圆供需转紧,价格上行压力将继续积累。

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三星电机MLCC拟调涨最高3成并签订1.07兆韩元长约,AI伺服器驱动被动元件涨价

1.三星电机预计4Q26调高MLCC对OEM/ODM供货价最高3成,ABF载板同步涨价;并宣布与全球大型企业签订约1.07兆韩元(约7.8亿美元)MLCC长期供应合约,锁定2027全年。

2.属于封装/PCB用被动元件和ABF载板供应环节,影响封装与基板。

3.影响公司:三星电机、村田、国巨等MLCC厂,以及AI服务器ODM/OEM。

4.AI伺服器需求推升MLCC供需紧张,关键被动元件与载板涨价将传导至整机成本,供应链备货压力上升。

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