本期聚焦先进制造与宽禁带半导体:佐治亚理工与Synopsys提出2nm单片3D SRAM,EPFL展示GaN超级结功率器件,TU Wien揭示【SiC铝掺杂激活】机制;牛津大学提出HBM/HBF混合内存架构,Intel确认LGA1954桌面插座。

厂商动态

Intel内部工具确认LGA1954为Nova Lake-S桌面处理器插座

1.发生了什么:Intel内部工具确认LGA1954为下一代桌面处理器Nova Lake-S的插座。

2.属于产业链哪个环节:封装测试环节的插座规格定义,影响主板平台与产品路线图。

3.可能影响的公司或赛道:Intel及其主板合作伙伴,如华硕、【技嘉】等。

4.为什么值得关注:新插座意味着PC平台更新,推动主板换机周期,对消费电子供应链产生影响。

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技术进展

佐治亚理工与Synopsys提出2nm单片3D 6T SRAM,集成BEOL pass-gates

1.发生了什么:佐治亚理工与Synopsys发布2nm节点单片3D6T SRAM论文,集成BEOL IGO pass-gates、全硅纳米片锁存器和埋入式电源轨。

2.属于产业链哪个环节:前道制造中的薄膜沉积、光刻、蚀刻、掺杂(纳米片形成)及后端BEOL互连,属于先进晶体管与SRAM微缩。

3.可能影响的公司或赛道:台积电、三星、英特尔等代工厂及SynopsysEDA。

4.为什么值得关注:SRAM微缩是2nm节点密度提升关键,M3D与BEOL晶体管可突破传统微缩限制,降低单元面积。

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EPFL利用固有极化超级结提升GaN-on-Silicon功率器件效率

1.发生了什么:EPFL研究人员利用III族氮化物异质结的固有极化实现超级结,提升GaN-on-Si功率器件效率。

2.属于产业链哪个环节:前道制造中的外延生长(薄膜沉积)、掺杂与器件结构定义,属于宽禁带功率半导体。

3.可能影响的公司或赛道:英飞凌、意法半导体、EPC等GaN功率器件厂商,受益于AI数据中心电源需求。

4.为什么值得关注:超级结结构突破耐压与导通电阻折中,助推GaN在AI数据中心电源和电动汽车充电器普及。论文链接

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TU Wien与Silvaco揭示4H-SiC铝掺杂激活温度依赖性机理

1.发生了什么:TU Wien与Silvaco用分子动力学模拟解释4H-SiC中铝注入掺杂激活对注入温度的非单调依赖。

2.属于产业链哪个环节:前道制造中的离子注入掺杂与退火激活步骤,属于SiC功率器件关键工艺。

3.可能影响的公司或赛道:Wolfspeed、onsemi、意法半导体等SiC器件厂商,以及TCAD工具商Silvaco。

4.为什么值得关注:SiC掺杂激活率直接影响器件导通电阻和良率,理解原子机制可优化工艺窗口加速量产。论文链接

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牛津大学提出HBM与高带宽闪存混合架构,缓解LLM推理内存墙

1.发生了什么:牛津大学提出硬件管理的异构HBM与高带宽闪存HBF混合架构,HBF每堆栈容量达HBM的16倍,带宽相近。

2.属于产业链哪个环节:存储与先进封装(HBM属于封装环节),系统内存架构,影响AI推理平台设计。

3.可能影响的公司或赛道:SK海力士、三星、美光等存储厂商,以及AI芯片设计公司。

4.为什么值得关注:LLM推理受限于内存容量和带宽,混合架构有望降低大模型部署成本,缓解内存墙。论文链接

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UiT与斯坦福实现可编程硅光子滤波器连续波长调谐

1.发生了什么:UiT与斯坦福展示可编程硅光子滤波器,实现激光器波长连续调谐,实验验证用于硅光集成电路。

2.属于产业链哪个环节:硅光子芯片制造涉及光刻、蚀刻、封装(光耦合),属于新兴光互连赛道。

3.可能影响的公司或赛道:Intel、Ayar Labs、GlobalFoundries等硅光子厂商。

4.为什么值得关注:硅光子是解决数据中心互连带宽与功耗瓶颈的关键,可调滤波器对多波长光源集成至关重要。论文链接

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