本期核心看点在2nm商用与先进封装扩产:苹果发布搭载台积电2nmM6芯片的Mac新品,力成FOPLP获超微/博通订单;同时DRAM/HBM价格持续飙涨,2027年缺货恐加剧。

技术进展

苹果发布M5 Ultra与首款2nm M6芯片,台积电先进制程再下一城

1.苹果开放新款Mac mini/Mac Studio预购,首度导入2nm制程M6芯片,并推出M5 Ultra。

2.属于【晶圆制造】前道光刻/制程节点环节;M5 Ultra涉及多晶粒封装。

3.影响台积电、苹果Mac供应链及2nm设备/材料生态。

4.这是2nm在消费级产品的首次大规模商用,标志先进节点从研发转向量产爬坡。

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玻璃基板日韩竞争升温,斗山13μm超薄CCL准备量产

1.新光电气展示抗裂高多层玻璃基板技术,三星电机联手东友参战;斗山电子将推比现有薄5μm的13μm封装用CCL。

2.属于后道封装基板/材料环节,玻璃基板用于AI芯片更大尺寸封装,CCL是基板核心材料。

3.影响新光电气、三星电机、斗山电子及先进封装基板供应链。

4.AI芯片尺寸增大,玻璃基板可改善翘曲与互连密度;超薄CCL有助封装减薄,影响良率和散热。

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长鑫存储LPDDR6搭小米玄戒O3首发,中国DRAM进入商用新阶段

1.小米自研处理器玄戒O3成为全球首款支援LPDDR6的手机芯片,供应链传首发内存供应商为【长鑫存储】。

2.属于存储芯片前道【晶圆制造】环节,LPDDR6要求更高带宽/更低功耗,带动DRAM制程与设计升级。

3.影响【长鑫存储】、小米及手机内存生态,代表中国DRAM业者与国际大厂行动内存竞争提前交火。

4.若消息属实,标志中国DRAM在最新规格上进入终端商用,新人可关注LPDDR6与LPDDR5X的制程与功耗差异。

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供应链变化

力成FOPLP获超微/博通订单,2027年量产;TEL首次展示面板级封装

1.力成布局扇出型面板级封装(FOPLP),获超微、博通订单,估2027年中量产,初期投资约200亿新台币。

2.属于后道封装环节,FOPLP以方型面板替代圆形晶圆,提升面积利用率;TEL也将在SEMICON首秀面板级封装布局。

3.影响力成、AMD/博通及先进封装设备商。

4.AI封装从CoWoS走向多元化,关注FOPLP与晶圆级封装成本/产能差异。

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前道设备与材料升温:Lam扩研发,京瓷静电吸盘需求超预期,国乔跨足特气

1.Lam将5年投逾30亿美元扩研发50%;京瓷因AI零件需求超预期上调财测;国乔携AWI入股宏广切入特气。

2.分别对应前道【薄膜沉积/蚀刻】设备研发、零部件静电吸盘、以及特殊气体材料环节。

3.影响Lam Research、京瓷、国乔/AWI/宏广及晶圆厂采购。

4.AI先进逻辑、HBM与先进封装扩产推动前道设备/材料升温,本土材料切入值得关注。

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市场与需求

DRAM价格飙涨、HBM排挤产能,2027年缺货恐更严重

1.1公斤南韩产DRAM出口单价已可买约620克黄金,较2023年低点涨12.5倍;机构警示HBM抢产能下2027年缺口扩大。

2.属存储芯片前道制造+后道HBM堆叠封装环节,HBM需TSV并挤压标准DRAM产能。

3.影响三星、SK海力士、美光及下游厂商;三星DS负责人提醒HBM4成功约70%靠市场。

4.HBM与DRAM共用产能,AI需求直接推高存储价格,是半导体周期性的典型缩影。

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