Veronica半导体速报

1.NVIDIA将于8月26日发布2QFY27财报，市场聚焦Rubin能否顺利接棒Blackwell，以及Vera CPU的战略定位。

2.涉及【晶圆制造】（先进制程）与先进封装（CoWoS），对应流程地图光刻、封装等步骤。

3.直接影响NVIDIA业绩，并牵动台积电先进制程/封装产能及HBM供应商。

4.AI需求是否持续供不应求，决定资本开支能否继续扩大，是半导体行业景气风向标。

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1.韩媒报道，三星电子与SK海力士正积极执行至2027年的中国NAND Flash量产线设备投资，扩大中国存储产能。

2.属于【晶圆制造】（前道）中的【存储芯片制造】，涉及薄膜沉积、光刻、【蚀刻】等步骤。

3.利好NAND设备商如应用材料、Lam Research、东京电子等，并影响NAND供给格局。

4.存储超级周期中，韩厂加码中国NAND投资，既为规避地缘风险，也反映长期需求看涨，但可能改变供需平衡。

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1.晶圆测试解决方案商【汉民测试】2026年前7个月营收26.68亿新台币，年增128%，并跨足硅光子CPO、先进封装及内存SLT测试。

2.属于产业链测试环节（流程步骤16），同时覆盖先进封装（步骤15）和硅光子CPO。

3.利好【汉民测试】，也反映先进封装、CPO测试需求爆发，带动测试设备与封测厂增长。

4.AI/HPC推动高阶芯片测试需求，测试设备成为先进封装产能扩张瓶颈之一，高增长验证行业景气。

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1.Hot Chips 2026上，三星提出让HBM基础晶粒整合逻辑功能，SK海力士优先冲刺20层DRAM堆叠；混合键合因300°C高温与CMP凹陷问题仍难落地。

2.涉及先进封装（步骤15）中的混合键合工艺，以及CMP（步骤11）在键合前的平坦化。

3.影响三星、SK海力士、美光等HBM厂商，以及CMP设备/材料供应商。

4.HBM是AI芯片性能关键，混合键合能突破堆叠层数瓶颈，但工艺挑战巨大，先解决者将主导下一代HBM。

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1.苹果向美国政府提出请求，希望获准向被列入黑名单的中国【长鑫存储】采购DRAM，并可能引入长江存储NAND以降低成本。

2.属于产业链存储芯片采购环节，直接影响【晶圆制造】后的成品供应及封装测试需求。

3.可能影响【长鑫存储】、长江存储，以及现有供应商三星、SK海力士、美光。

4.存储进入涨价周期，若放行将打破中国存储芯片被排除在北美供应链外的局面，但产能瓶颈与地缘政治仍是阻碍。

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1.北京亦庄印发《AI4Chip人工智能赋能集成电路产业跨越式发展行动计划（2026-2028年）》，将AI导入芯片设计、制造、封装、设备、材料等全产业链。

2.覆盖整个【半导体制造流程】，尤其强调EDA、【晶圆制造】、封装测试中的AI应用。

3.利好中国本土EDA、设备、材料公司，如华大九天、中微公司等，并吸引AI公司进入半导体领域。

4.这是中国首个聚焦AI4Chip的政策，若有效实施，可能加速半导体自主化进程，改变全球竞争格局。

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