本期重点关注AI互连从铜转向光、CPO规模部署挑战,以及HBM4爬坡与ASP上涨对存储盈利的驱动;同时GaN赛道爆发专利战,边缘AI芯片面临内存墙重构。

技术进展

铜互连逼近极限,光互连与CPO加速走向AI数据中心

1.发生了什么:Semiconductor Engineering多篇文章指出,铜互连在AI集群扩展中已开始受限,光互连和电路切换成为新方向;CPO(共封装光学)要规模化部署还需解决制造、测试和运维挑战。

2.属于产业链哪个环节:主要影响先进封装(第15步)和芯片间互连设计,涉及光电共封装和光学引擎集成。

3.可能影响的公司或赛道:光模块/光引擎供应商、CPO代工厂(如台积电、日月光)、SerDes IP和EDA工具商。

4.为什么值得关注:AI算力集群从机架级向超机架级扩展,铜线传输功耗和密度瓶颈凸显,光互连成为下一代计算架构的必然选择,但制造良率与测试成本是关键门槛。官方文章

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HBM4下半年爬坡,ASP涨势或成存储厂新盈利引擎

1.发生了什么:TrendForce和行业消息称HBM4将于2026年下半年开始放量,三星HBM4良率已接近80%,与SK海力士竞争加剧;上半年仍以HBM3e为主。

2.属于产业链哪个环节:对应【DRAM制造和先进封装】(第6-14步前道+第15步封装),HBM需要TSV和堆叠键合。

3.可能影响的公司或赛道:三星、SK海力士、美光等存储原厂,以及HBM测试/键合设备供应商。

4.为什么值得关注:供应紧张叠加HBM4爬坡,DRAM和HBMASP(平均售价)有望持续走高,成为存储厂盈利重要驱动,但也可能抬升AI加速卡成本。推文链接

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市场与需求

GaN竞争升级为专利战:Navitas起诉Renesas

1.发生了什么:Navitas正式起诉Renesas,指控其窃取与AI数据中心下一代芯片相关的GaN功率器件商业秘密,并侵犯四项专利。

2.属于产业链哪个环节:涉及【功率半导体制造】(前道晶圆制造、外延、封装),GaN器件用于电源管理。

3.可能影响的公司或赛道:GaN功率芯片厂商(Navitas、英飞凌、Renesas、EPC等),AI服务器电源模块供应链。

4.为什么值得关注:AI数据中心功耗激增推动GaN需求,专利诉讼可能影响供应格局和客户选择,也反映GaN赛道竞争白热化。推文链接

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DARPA推进器件级散热技术,BAE进入THREADS项目第二阶段

1.发生了什么:BAE Systems旗下FAST Labs完成DARPATHREADS项目第一阶段,获得第二阶段合同,继续推进电子器件级散热技术开发。

2.属于产业链哪个环节:主要针对芯片级/封装级热管理和系统散热,涉及封装(第15步)和功率器件可靠性。

3.可能影响的公司或赛道:国防电子供应商(BAE、雷神、洛克希德·马丁),以及民用高性能计算/数据中心散热方案商。

4.为什么值得关注:AI芯片功耗密度不断提升,散热成为性能和可靠性瓶颈,THREADS项目探索的器件级散热方案可能向民用市场扩散。官方公告

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DDR5 9600 RDIMM发布,服务器内存性能再升一级

1.发生了什么:业内推出DDR5 9600 RDIMM,将服务器内存性能提升至新台阶,以应对数据中心高效数据移动需求。

2.属于产业链哪个环节:涉及【DRAM芯片制造和内存模组封装测试】,对应前道晶圆制造和后道封装测试。

3.可能影响的公司或赛道:三星、SK海力士、美光等DRAM原厂,以及服务器OEM/云厂商。

4.为什么值得关注:AI服务器对内存带宽需求持续攀升,DDR5速率提升有助于缓解“内存墙”问题,但高速信号完整性对PCB和封装提出更高要求。原文链接

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边缘与汽车NPU从算力受限转向内存受限,LLM带动架构重构

1.发生了什么:Semiconductor Engineering文章指出,边缘和汽车NPU正在从传统CNN计算受限工作负载转向LLM/VLM内存受限工作负载,推动基于包的NPU架构演进。

2.属于产业链哪个环节:属于芯片架构设计和AI加速器IP,涉及前道制造中的逻辑芯片设计(第6步之前的设计环节),影响芯片SoC架构。

3.可能影响的公司或赛道:NPU IP供应商(如Arm、Synopsys、Cadence)、边缘AI芯片厂商(NXP、TI、瑞萨)、汽车芯片公司。

4.为什么值得关注:生成式AI从云端向边缘和汽车渗透,传统视觉NPU已无法满足大模型推理需求,内存系统和数据流架构成为竞争关键。原文链接

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