本期焦点集中在存储芯片先进封装两大领域:SK海力士中国NAND产能扩产50%,长鑫DDR5良率突破90%冲击市场;台积电CoWoS良率超98% vs 英特尔EMIB-T追赶中,三星则瞄准2030年High-NA EUV用于1nm制程。

技术进展

三星电子计划在1nm制程节点引入High-NA EUV光刻技术

1.发生了什么:三星官方公布技术路线图,计划于2030年左右在其1nm(A10)制程节点正式部署下一代High-NA EUV用于大规模量产。

2.属于产业链哪个环节:核心环节为光刻,系将电路图案转移到晶圆的关键步骤。

3.可能影响的公司或赛道:ASML(独家供应商)、三星及台积电等先进制程代工厂。

4.为什么值得关注:High-NA EUV能用于更精细的单次曝光,避免多次曝光带来的成本与良率损失。目前2nm/1.4nm更依赖0.33NA EUV的多重图案化,但迈向1nm以下工艺,High-NA将成为必要选项,标志着光刻技术的重大代际更替。来源链接

[1] [2]

长鑫存储DDR5良率突破90%,模组产品灵活渗透消费市场

1.发生了什么:据中国媒体报道,【长鑫存储】的17nm DDR5良率已超90%,其芯片已大量进入华南现货市场。

2.属于产业链哪个环节:属于前道晶圆制造的整体成果体现,涉及光刻、蚀刻等多道工艺循环,最终影响测试环节的良率指标。

3.可能影响的公司或赛道:戴尔(禁用)、惠普(仅限中国区)等PC大厂策略分化,三星SK海力士美光三大巨头。

4.为什么值得关注:良率突破90%意味着中国本土DRAM产品具备商业竞争力。尽管在大厂全球供应链中占比仍有限,但它在非中国大陆品牌中找到了灵活的市场空间。来源链接

[3]

SK海力士重启大连工厂,在华NAND产能将提升50%

1.发生了什么:SK海力士重启其大连第二座NAND闪存厂的建设,计划年底搬入设备,2026年上半年量产,目标月产能4-6万片,提升当地总产能约50%。

2.属于产业链哪个环节:核心涉及前道制造中的薄膜沉积光刻、【蚀刻】以及后续的封装环节。

3.可能影响的公司或赛道:SK海力士/Solidigm、本土NAND供应链。

4.为什么值得关注:策略为双轨制,大连工厂专注于成熟的100层以上NAND,而韩国清州工厂则主攻300层以上的先进NAND。来源链接

[4]

台积电CoWoS封装良率超98%,确立先进封装优势地位

1.发生了什么:台积电在2026 OCP亚太峰会上确认,其【5.5倍光罩尺寸的CoWoS】封装良率已超过98%,部分场景可达99%。

2.属于产业链哪个环节:对应后道制造的封装环节,特别是2.5D/3D先进封装。

3.可能影响的公司或赛道:台积电、AI芯片客户(如NVIDIA),竞争对手英特尔(EMIB-T据称良率刚达90%)。

4.为什么值得关注:在大尺寸芯片封装中实现98%以上良率极为困难,这直接降低了AI加速器单位成本并保证了稳定供应,巩固了其封装技术护城河。来源链接

[5] [6]

3D封装测试成新焦点:HBM与芯粒架构推动测试插入点变革

1.发生了什么:HBM成为验证3D组装良率的测试平台,同时AI芯粒架构正重新定义测试流程中的插入点。

2.属于产业链哪个环节:核心聚焦后道测试先进封装环节,特别是TSV、微凸点及电源完整性的检测。

3.可能影响的公司或赛道:【HBM制造商】(SK海力士、三星)、芯粒设计厂、测试设备与探针卡供应商。

4.为什么值得关注:随着多芯片堆叠和2.5D尺寸增大,传统一次测试已不够。必须在组装前、中、后期多次测试以确保良率,对可测性设计提出了全新技术要求。来源链接

[7] [8]

Navitas起诉瑞萨GaN专利侵权,功率器件赛道竞争升级

1.发生了什么:纳微半导体氮化镓(GaN)功率IC专利侵权为由,正式起诉【瑞萨电子】。

2.属于产业链哪个环节:涉及化合物半导体制造中的掺杂、薄膜沉积等特殊工艺,影响功率器件。

3.可能影响的公司或赛道:纳微半导体、【瑞萨电子】、英飞凌等GaN/碳化硅功率器件主要玩家。

4.为什么值得关注:GaN快充、数据中心电源市场需求爆发,专利战标志着产业正从技术研发转向市场份额争夺。任何禁令或裁决都将影响全球低成本GaN产品的供应链格局。来源链接

[9] [10]