◆ 速报总结

本期重点：三星HBM4良率提升至80%并大幅扩产，追赶SK海力士；另有讨论DRAM 1c节点是否必须使用EUV，以及Tower Semiconductor或成NVIDIA NPO计划受益者。整体高价值动态较少。

技术进展

Samsung

三星HBM4良率升至80%，HBM出货与营收目标大幅上调

1.三星已将其HBM4量产良率从年初的低于60%提升至80%，仅用六个月。

2.属于后端先进封装（HBM堆叠）环节，直接影响HBM产能和成本。

3.可能影响三星自身HBM市场份额，并对SK海力士形成追赶压力。4.HBM4是AI芯片关键内存，良率攀升意味着三星可快速扩大供应，有望将HBM市场份额提升至与其DRAM相当的约38%。

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业内讨论：南亚科或尝试不使用EUV制造1c DRAM，挑战工艺极限

1.多个X推文讨论【南亚科】（Nanya）是否能在无EUV光刻的情况下制造1c节点DRAM。

2.属于光刻（EUV）与DRAM制造相结合的前道工艺，通常1c及以下需EUV。3.若成功，南亚科、华邦等DRAM厂或能在成本上获得优势，影响ASMLEUV需求。4.目前仅为推友猜测，无官方技术披露，但若实现，将改写DRAM微缩路线图。

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供应链变化

Tower Semi / NVIDIA

业内传闻：Tower Semiconductor或成NVIDIA NPO计划最大受益者

1.分析师推文称Tower Semiconductor是NVIDIA NPO计划的“最大受益者”。2.NPO（可能指网络处理单元或光学引擎）制造属于晶圆代工环节，Tower以特种工艺著称。3.若为真，Tower将获得NVIDIA AI相关芯片的代工订单，利好其产能利用率。4.目前缺乏官方证实，属市场传闻，但Tower的特色工艺（如SiGe、BCD）适合数据通信芯片，值得跟踪。

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