Veronica半导体速报

1. 英特尔率先将High-NA EUV集成至18A制程，而台积电仍审慎评估成本与成熟度，倾向先用现有EUV多重曝光。

2. 属于光刻步骤（第6步），High-NA EUV是实现2nm及以下节点的关键设备。

3. 直接影响ASML设备订单节奏与英特尔代工服务台积电的制程研发竞争力。

4. 新人须知：High-NA EUV使用更高数值孔径（0.55）实现更精细分辨率，但设备成本极高，英特尔赌注早期采用以争夺技术领先，台积电则延续稳妥路线。

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1. 薄膜铌酸锂（TFLN）技术成熟度到达拐点，从国防转向高速光通信与光子计算领域。

2. 属于光电器件制造环节（涉及薄膜沉积、光刻），是共封装光学CPO的核心材料。

3. 重塑光模块及下一代光互连供应链，影响光器件供应商及共封装光学生态。

4. 新人须知：TFLN具有极高电光系数和宽透明窗口，可实现超高速调制器，解决AI数据中心铜互连的带宽瓶颈，是“光进铜退”的关键材料。

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1. 诺基亚收购恩智浦位于亚利桑那Chandler的晶圆厂，将其改造为磷化铟光学芯片产线。

2. 涉及化合物半导体晶圆制造全流程，最终产品用于光通信发射/接收器件。

3. 增强诺基亚在相干光模块的自主供应能力，减少外部依赖；恩智浦则剥离非核心制造资产。

4. 新人须知：AI驱动下磷化铟需求激增（此前已报道供给缺口超DRAM），该收购顺应垂直整合趋势，保障关键光学芯片产能。

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1. 下一代AI芯片基板和高带宽交换机对特种玻璃纤维布需求暴增，但织布设备由单一供应商垄断，良率难以提升。

2. 属于封装基板制造的上游材料供应（第15步），直接影响ABF基板产能。

3. 封装基板大厂Ibiden、新光电气等面临材料短缺，进而拖累AI GPU与高性能交换机出货。

4. 新人须知：高性能芯片需要低热膨胀系数和均匀介电特性的基板布，这看似普通的材料正成为先进封装扩产的隐形瓶颈，扩产周期极长。

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1. 华邦电表示2027年短缺可能比2026年更严重，而Adata预测DRAM价格在2026年Q3将再涨20-30%。

2. 影响存储芯片（DRAM）的封装与测试环节，产能分配优先HBM与高价值订单。

3. 存储原厂（三星、SK海力士、美光）、模组厂及所有AI算力使用者均受波及。

4. 新人须知：AI服务器抢单导致标准DDR5产能被挤压，加上原厂资本纪律，供给缺口延续至2027年，客户被迫接受更高长约价格。

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1. 最新研究展示GaN HEMT在短路条件下的改进性能，提升器件的可靠性和承受能力。

2. 属于功率半导体制造环节，涉及化合物半导体的外延、栅极结构等工艺。

3. 推动英飞凌、纳微半导体等GaN器件在电动汽车、数据中心电源等高压场景的应用。

4. 新人须知：GaN HEMT开关速度快、耐高温，但短路耐受时间是瓶颈，该突破有助于GaN进一步替代硅基IGBT，拓展高频高压市场。

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