Veronica半导体速报

1. 马斯克的Terafab计划落地德州，投资168亿美元，意图在同一园区完成逻辑、DRAM的制造、封装、测试。

2. 垂直整合覆盖从【晶圆制造】（步骤1-14）到封装测试（步骤15-16）的全流程，类似三星“一条龙”模式。

3. 特斯拉可能自研Dojo AI芯片、自动驾驶芯片及配套DRAM，降低对NVIDIA、SK海力士等外部供应商依赖。

4. 新人可以理解为特斯拉要自建“芯片工厂+封测厂”，实现AI芯片完全自主，但需数年建设和巨额投入。

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1. 英特尔EMIB基板最大供应商Ibiden透露，其下一代EMIB-T技术已基本完成开发，即将进入良率提升阶段，预计2028年量产。

2. 属于封装环节（步骤15），EMIB（嵌入式多芯片互连桥）用于先进异构集成，核心难点在硅桥键合与通孔形成。

3. 直接利好英特尔先进封装路线，竞争对手包括新光电气等；基板供应链有望受益。

4. 封装基板正从有机向玻璃/硅桥演进，新人可理解为芯片间“高速桥梁”，良率达标才可大规模量产。

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1.台积电携手阳明交通大学研发出高性能单层二硫化钼（MoS₂）顶栅晶体管，为0.7nm（7Å）芯片铺路。

2. 属于前道掺杂与薄膜沉积环节（步骤5/9），MoS₂作为替代硅的二维材料，可堆叠在CFET（互补场效应管）架构中。

3. 该突破将巩固台积电在2nm以下节点的技术领导力，材料供应商如应用材料、东京电子或承接需求。

4. 当硅沟道无法继续缩小，用单原子层材料造晶体管是延续摩尔定律的关键路径之一。

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1. 中国国家集成电路产业投资基金（大基金）改变策略，从单纯扩产转向【HBM混合键合、芯片堆叠设备、下一代计算芯片】等战略技术。

2. 影响封装（步骤15）及测试（步骤16）环节，HBM制造依赖晶圆级封装与混合键合设备。

3. 国产设备材料商如【中微公司、拓荆科技、华海清科】可能迎来定向支持，先进封装赛道竞争加剧。

4. 混合键合是堆叠HBM DRAM的关键工艺，政策转向说明中国正集中资源攻克“卡脖子”环节。

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1.【欣铨科技】计划通过子公司吉佳科技投资60亿新台币，用于新竹科学园区和湖口新厂测试产线，瞄准AI芯片需求。

2. 属于测试环节（步骤16），AI芯片（GPU、ASIC）功耗高、接口多，需大量高端测试平台和耗材。

3. 利好测试设备商【Advantest、Chroma ATE】及探针卡供应商；台系测试厂产能持续满载。

4. 芯片出货前必须通过严格电性测试，AI芯片尺寸大、测试时间更长，拉动测试产能投资。

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1.华邦电规划到2027年成为全球第一的SLC NAND闪存供应商，正将产能从1.5万片/月扩至2.4万片并切换至24nm制程。

2. 涵盖【晶圆制造】全流程（步骤1-14）及后道，NAND存储芯片需经过氧化、光刻、蚀刻、CMP等多步循环。

3. 华邦电同时是最大NOR Flash厂商，部分客户已签长约至2030年；车载、工业、机器人、低轨卫星需求强劲。

4. SLC NAND每单元只存1bit数据，可靠性和耐久性最高，适合对数据完整性要求严苛的边缘设备。

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