Veronica半导体速报

1. 发生了什么：Veeco的LUMINA+ MOCVD设备被一家全球光子技术领导厂商选中，用于制造【InP激光器】。

2. 属于产业链哪个环节：薄膜沉积中的【金属有机化学气相沉积（MOCVD）】，是化合物半导体外延层生长的关键步骤。

3. 可能影响的公司或赛道：设备商Veeco，InP激光器制造厂商，以及数据中心高速光模块供应链。

4. 为什么值得关注：AI驱动数据中心内部光通信需求激增，InP激光器作为高速传输的核心器件，其产能投资正在提速，MOCVD设备订单是产业信心的重要指标。

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1. 发生了什么：闪迪的NBM合约已实现约80%毛利率，长期协议（LTA）预计将在FY27覆盖过半位元出货，FY28进一步升至三分之二。

2. 属于产业链哪个环节：存储芯片的销售与产能分配，影响整个封装测试和最终产品交付节奏。

3. 可能影响的公司或赛道：闪迪、三星、SK海力士巩固利润，下游客户如苹果、服务器OEM面临更刚性的采购条款。

4. 为什么值得关注：存储行业正在复制硅晶圆的长约锁定模式，在产能紧缺背景下，供应商通过高比例LTA锁定利润和产能，买方议价空间进一步收窄。

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1. 发生了什么：华邦电将2026年资本支出从405亿新台币下调至395亿新台币，主因EUV光刻机交期拉长至3至3.5年。

2. 属于产业链哪个环节：核心在光刻步骤，是决定晶圆厂扩产节奏的关键设备。

3. 可能影响的公司或赛道：设备供应商ASML的交期瓶颈将延后华邦电及所有依赖EUV的晶圆厂产能上线。

4. 为什么值得关注：即使对不主打最先进逻辑制程的存储厂，EUV交期延长也直接限制了制程升级和产能扩张，这种供给刚性会持续影响全球芯片供给。

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1. 发生了什么：铠侠在岩手县K2工厂启动BiCS10第10代3D NAND的量产，标志着新一代高密度闪存进入规模供应阶段。

2. 属于产业链哪个环节：存储芯片制造，涉及3D堆叠中的薄膜沉积、蚀刻及封装测试等多道工艺循环。

3. 可能影响的公司或赛道：直接影响铠侠和闪迪，并加剧数据中心/手机/NAND市场的竞争。

4. 为什么值得关注：3D NAND层数越高位密度越大，每GB成本更低，有助于AI服务器和终端设备扩大存储容量，而量产时间点也可能解释前期两家公司财报不及预期的原因。

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1. 发生了什么：英伟达将SOCAMM2配置从192GB骤降至64GB，原因是存储器供应商只能满足60-70%的需求量，而非需求不足。

2. 属于产业链哪个环节：先进封装与内存模块集成，直接对应封装和DRAM制造环节，SOCAMM2是一种高密度LPDDR5X内存模块。

3. 可能影响的公司或赛道：英伟达的AI服务器系统性能受限，SK海力士、三星、美光的SOCAMM供应能力受到考验，同时可能影响采用类似方案的AMDMI450。

4. 为什么值得关注：AI算力对内存带宽和容量的需求远超当前供给能力，供应链瓶颈正在倒逼系统架构妥协，也让HBM等高价值内存的地位进一步强化。

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1. 发生了什么：三星在FMS展会上推出zNAND-O技术，将高带宽闪存引入边缘AI应用场景。

2. 属于产业链哪个环节：存储芯片设计与创新应用，涉及NAND Flash架构改进及与处理器的融合层面。

3. 可能影响的公司或赛道：【高通】和谷歌已开始评估，若成本可行，可能用于智能手机等终端设备的AI加速。

4. 为什么值得关注：目前AI推理多依赖HBM或LPDDR，高带宽闪存若能平衡性能与成本，可能改变边缘设备的存储子系统，开辟NAND在AI领域的新角色。

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