本期重点:AMD发布2026年Q2财报;NVIDIAVera Rubin架构获SpaceX星链采用,AI计算走向太空;铠侠/闪迪联合推出业界最高位密度3D QLC NAND;SK海力士美国HBM封装厂即将动土,先进封装产能争夺加剧。

厂商动态

AMD发布2026年第二季度财报

1. AMD公布了2026年第二季度财务业绩,并提供了non-GAAP财务调和说明。

2. 属于公司经营与财务动态,不直接对应具体制造步骤,但反映芯片设计公司的市场表现。

3. 可能影响AMD自身股价、CPU/GPU市场格局,以及台积电、三星等代工合作伙伴的订单。

4. 财报链接

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技术进展

NVIDIA Vera Rubin NVL72将AI计算带入太空,SpaceX决定独家采用NVIDIA架构

1. NVIDIA宣布SpaceX的Starmind AI1卫星搭载Vera Rubin NVL72计算平台,将AI工厂计算送入轨道。

2. 属于GPU架构与系统集成,涉及AI芯片设计与HBM封装,间接影响前道晶圆制造与先进封装步骤。

3. 直接利好NVIDIA,并带动台积电代工、HBM供应商(SK海力士、三星、美光)以及卫星通信等产业链。

4. Elon Musk表示SpaceX将独家使用NVIDIA架构,并预计2027年底计算规模超过10GW,这将验证Vera Rubin在极端环境下的可靠性,成为边缘AI与太空计算的新里程碑。

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中国修订IC布图设计保护条例,首度纳入光子与量子芯片

1. 中国国务院公布修订后的《集成电路布图设计保护条例》,2026年10月15日起施行,将光子芯片量子芯片首次纳入保护范围。

2. 属于知识产权政策,虽不直接对应制造步骤,但影响芯片设计端的创新环境与IP保护。

3. 将直接受益中国光子、量子领域的IC设计初创公司,并加大故意侵权惩罚,可能影响国际相关IP诉讼格局。

4. 这是该条例自2001年以来的首次大修,新增“独创性声明”要求,标志着中国正通过法律手段加速对下一代计算架构的专利布局与自主创新。

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供应链变化

SK海力士美国封装厂传8月底动土,2028年量产HBM4E/HBM5

1. 消息来源指出SK海力士在美国的先进封装厂将于8月底举行动工仪式,目标2028年量产HBM4E和HBM5。

2. 属于后道封装环节,HBM堆叠依赖硅通孔(TSV)、晶圆级封装等高精技术,是先进封装的关键步骤。

3. 直接受益的包括SK海力士自身,也将带动美国本土封装设备、材料供应链,并为其下游客户如NVIDIA、AMD提供产能保障。

4. 此举响应美国《芯片法案》政策要求,实现HBM量产地理多元化,以应对地缘风险并缓解先进封装产能持续吃紧的局面,巩固其HBM龙头地位。

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AI芯片客户长约锁定IC载板至2028,重启合资建厂模式

1. AI芯片热潮下IC载板产能严重吃紧,NVIDIA、AMD及云巨头虽已签订长期协议至2028年,仍无法满足需求。

2. 属于封装基板,是先进封装(如CoWoS、EMIB)不可或缺的材料,直接对应封装步骤。

3. 影响载板供应商欣兴、南电、景硕,以及台积电、三星等先进封装代工厂的产能扩张与客户供应。

4. 客户被迫重启“合资建厂”来锁定载板产能,表明当前载板缺口已超出长约所能保证的范围,这进一步推升先进封装整体成本与交付风险。

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市场与需求

铠侠与闪迪发布新一代3D QLC NAND,实现业界最高位密度

1. 铠侠闪迪联合发布采用CBA(CMOS directly Bonded to Array)技术的3D QLC NAND,位密度创下业界新高。

2. 属于NAND存储芯片制造环节,涉及光刻、刻蚀、薄膜沉积等前道工艺,直接影响存储芯片的容量与成本。

3. 可能对三星、美光在NAND市场形成挑战,利好数据中心和消费电子对低成本大容量存储的需求。

4. 更高位密度意味着能在更小面积内实现更大存储,在AI和大数据爆发背景下,这将缓解存储瓶颈并降低每比特成本,巩固两家公司在QLC领域的领先地位。原文

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