1. AMD公布了2026年第二季度财务业绩,并提供了non-GAAP财务调和说明。
2. 属于公司经营与财务动态,不直接对应具体制造步骤,但反映芯片设计公司的市场表现。
3. 可能影响AMD自身股价、CPU/GPU市场格局,以及台积电、三星等代工合作伙伴的订单。
4. 财报链接
[1]本期重点:AMD发布2026年Q2财报;NVIDIAVera Rubin架构获SpaceX星链采用,AI计算走向太空;铠侠/闪迪联合推出业界最高位密度3D QLC NAND;SK海力士美国HBM封装厂即将动土,先进封装产能争夺加剧。
1. AMD公布了2026年第二季度财务业绩,并提供了non-GAAP财务调和说明。
2. 属于公司经营与财务动态,不直接对应具体制造步骤,但反映芯片设计公司的市场表现。
3. 可能影响AMD自身股价、CPU/GPU市场格局,以及台积电、三星等代工合作伙伴的订单。
4. 财报链接
[1]1. 消息来源指出SK海力士在美国的先进封装厂将于8月底举行动工仪式,目标2028年量产HBM4E和HBM5。
2. 属于后道封装环节,HBM堆叠依赖硅通孔(TSV)、晶圆级封装等高精技术,是先进封装的关键步骤。
3. 直接受益的包括SK海力士自身,也将带动美国本土封装设备、材料供应链,并为其下游客户如NVIDIA、AMD提供产能保障。
4. 此举响应美国《芯片法案》政策要求,实现HBM量产地理多元化,以应对地缘风险并缓解先进封装产能持续吃紧的局面,巩固其HBM龙头地位。
[5]1. AI芯片热潮下IC载板产能严重吃紧,NVIDIA、AMD及云巨头虽已签订长期协议至2028年,仍无法满足需求。
2. 属于封装基板,是先进封装(如CoWoS、EMIB)不可或缺的材料,直接对应封装步骤。
3. 影响载板供应商欣兴、南电、景硕,以及台积电、三星等先进封装代工厂的产能扩张与客户供应。
4. 客户被迫重启“合资建厂”来锁定载板产能,表明当前载板缺口已超出长约所能保证的范围,这进一步推升先进封装整体成本与交付风险。
[6]1. 铠侠与闪迪联合发布采用CBA(CMOS directly Bonded to Array)技术的3D QLC NAND,位密度创下业界新高。
2. 属于NAND存储芯片制造环节,涉及光刻、刻蚀、薄膜沉积等前道工艺,直接影响存储芯片的容量与成本。
3. 可能对三星、美光在NAND市场形成挑战,利好数据中心和消费电子对低成本大容量存储的需求。
4. 更高位密度意味着能在更小面积内实现更大存储,在AI和大数据爆发背景下,这将缓解存储瓶颈并降低每比特成本,巩固两家公司在QLC领域的领先地位。原文
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