DRAM供应短缺加剧,NVIDIA考虑降低HBM4e配置以应对产能瓶颈;CXMT趁势进入PC大厂供应链并扩产,存储芯片格局生变。

技术进展

CXMT加速扩产:计划年底小批量生产LPDDR6,并考虑在北京建第二座12英寸厂

1. 彭博社报道,CXMT准备年底小批量生产LPDDR6芯片;市场传闻其正计划在北京建设第二座12英寸DRAM晶圆厂,寻求至少600亿元人民币融资。

2. 涉及【晶圆制造】全流程,特别是先进DRAM工艺节点的图案化、沉积和蚀刻。

3. 扩产后CXMT总产能可能翻倍至60万片/月以上,将直接挑战三星、SK海力士、美光的市场份额。

4. 结合PC大厂已经采用的消息,CXMT从“备胎”变为“补充供应”再向“主力供应商”的路径正在加速。注意:建厂信息为市场传闻,需等官方确认。

[5] [6] [4]

供应链变化

TrendForce:DRAM供应短缺或持续至2027年,NVIDIA重新评估Rubin Ultra HBM配置

1. DRAM供应短缺预计持续到2027年,HBM4e认证进度不明。NVIDIA正重新评估Rubin Ultra的HBM配置。

2. 属于后道封装中的高性能存储集成步骤,涉及3D堆叠和中介层设计。

3. 直接影响三星SK海力士美光三大HBM供应商的产能分配和定价权。

4. AI芯片面临HBM供应不足和涨价双重压力,可能导致未来GPU性能提升不及预期,最终影响AI服务器和云计算部署节奏。

[1]

苹果MacBook Air因DRAM短缺出现供应中断,消费电子供应链冲击才刚开始

1. 媒体报道,苹果最畅销的MacBook Air已因存储芯片短缺出现缺货,并将波及台积电、广达、富士康等供应链伙伴。

2. 属于下游封装测试完成后进入系统组装的末端环节,但根源在于前道DRAM晶圆产能不足。

3. 产业链波及面广:从存储芯片制造商、代工厂(台积电)、组装厂(广达、富士康)到终端品牌(苹果)。

4. 这说明DRAM短缺已从AI服务器蔓延到消费电子主战场。即使是苹果这样的强势客户也无法避免,PC供应链或将面临更严峻的产能争夺。

[7]

Sony与台积电洽谈合资生产图像传感器,AI时代CIS需求推动晶圆厂合作

1. Sony宣布与台积电的合资谈判“进展顺利”,将在日本熊本Koshi市Sony新晶圆厂合作生产图像传感器,Sony已预留100亿日元资金并持多数股权。

2. 属于【晶圆制造】全流程,特别涉及CIS专用工艺(包括像素层、逻辑层集成等)。

3. 合作方直接受益的是Sony台积电,间接影响全球图像传感器供应链。应用场景从手机扩展到汽车、机器人等“物理AI”。

4. Sony借台积电先进制程强化图像传感器竞争力,台积电则获得日本本土晶圆厂产能扩张的新案例。这是半导体制造与终端应用深度绑定的典型。

[9]

市场与需求

惠普、华硕、宏碁等PC大厂因DRAM短缺转向采购CXMT内存芯片

1. 日经报道,因全球DRAM供应严重短缺,惠普华硕宏碁等PC厂商开始采用CXMT芯片。

2. 属于下游【晶圆制造】后的内存芯片供应环节,影响最终电子产品组装。

3. CXMT作为中国最大DRAM厂商获得国际大厂背书,可能加速进军高端内存市场,冲击现有三星、SK海力士、美光格局。

4. CXMT定价并不比三巨头便宜,说明短缺已迫使厂商为保供应而接受高价。中国存储芯片的客户认可度正在质变。

[2] [3] [4]

HBF作为HBM互补技术兴起,可大幅提升AI推理存储容量

1. TrendForce指出HBF(High Bandwidth Flash)正成为HBM的互补技术,利用堆叠Flash提供数倍于HBM的容量,成本显著更低。

2. 属于封装环节中的异构集成,将不同类型存储器(DRAM+Flash)整合到同一封装内。

3. GoogleTenstorrent等已表达采用兴趣,但NVIDIA尚未公布计划。长期可能形成HBM负责高速计算、HBF负责高密度存储的混合架构。

4. 对新人提示:HBM虽然带宽极高,但容量有限且昂贵。HBF用Flash堆叠技术解决了LLM推理对大容量存储的需求痛点,可能成为AI芯片架构的重要分支。

[8]