Veronica半导体速报

1. SK海力士与SanDisk发布首版HBF（高带宽闪存）标准，容量最高512GB，带宽0.4–3.0TB/s，用于AI推理/训练

2. HBF聚焦近存储计算和内存池化，属于先进封装和高性能计算架构层面的新方案

3. GoogleDeepMind、Tenstorrent等已加入HBF联盟，未来可能分流部分HBM需求

4. 产业意义：HBF试图提供【HBM之外的另一AI内存路径】，成本与容量灵活性更高，可能改变AI加速器设计

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1. SemiAnalysis确认AMD MI455为已知首款采用有源Local Silicon Interconnect (LSI)桥的芯片，位于CoWoS-L封装内

2. 该技术属先进封装（第15步）中硅桥的革新——从无源走线升级为带信号中继器的有源电路，分担上下芯片PHY负担

3. 直接影响台积电CoWoS-L产能与客户导入，AMD成为先行者，未来NVIDIA、Broadcom等或跟进

4. 新人可理解为：在芯片封装内部的“桥梁”里加装了微型信号放大器，让CPU/GPU能腾出更多面积给计算单元，性能提升

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1. 英特尔EMIB-T先进封装方案成本仅为台积电CoWoS一半，目前良率已超90%但基板良率仍在50%瓶颈

2. 该方案属于封装步骤（第15步），用嵌入式硅桥实现芯片互连，联电供应硅桥，力积电独家供应硅电容

3. 【联发科】AI ASIC项目已导入，Google TPU可能采用，【博通】、Meta正评估中

4. 值得关注的是，EMIB-T正成为CoWoS之外的有力替补，有助于英特尔代工业务抢夺先进封装客户

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1. 中国修订《集成电路布图设计保护条例》，自10月15日起要求芯片版图专利申请提交原创声明及蓝图

2. 这属于芯片设计（版图/布局）环节的知识产权规则收紧，旨在遏制抄袭

3. 影响所有在华申请版图保护的芯片设计公司，包括海外半导体巨头及本土企业

4. 预期将增加专利审查透明度，但也可能提升企业申请难度与商业机密风险，值得法务部门重点关注

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1. DigiTimes报道，2027年DRAM与HBM全年产能被提前完全预订，NAND供应虽稍宽松但预计月底也将售罄

2. 事件属于存储晶圆制造环节（内存/闪存产出），直接影响封装前的芯片供应

3. 主要影响三星、SK海力士、美光三大存储厂，以及下游手机/PC OEM和AI服务器厂商

4. 原因在于存储厂优先保供云服务商与AI巨头，且实际仅交付订单量60-70%；NVIDIA拟将Rubin UltraHBM从12Hi 192GB降规至8Hi 192GB来腾出供应，但整体短缺仍难缓解

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1. 雷克沙发布DDR5-7200内存条，采用中国国产DRAM芯片，意味着本土DRAM已能支撑高端模组级产品

2. 涉及晶圆制造（DRAM设计/工艺）及后道测试封装，具体制造商未透露，但可能与【合肥长鑫】产能相关

3. 若大规模量产，可能影响全球内存供应链格局，尤其对三星、SK海力士、美光的中高端DDR5份额

4. 新人理解：这是中国DRAM从“能用”到“高性能”的标志性突破，未来手机/PC/服务器都可能用上国产内存

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