Veronica半导体速报

1.三星宣布2nm第二代工艺将在下半年量产，Taylor Fab 1于2026年运营，Taylor Fab 2将在2026年底开工，2030年量产，并开始考虑1.4nm新厂。

2.属于晶圆制造环节，涉及光刻、薄膜沉积等先进制程步骤。3.三星代工客户（Broadcom、CSP等）及设备供应商受益，与台积电在2nm节点竞争加剧。4.先进制程利用率已达峰值，代工业务复苏，订单量翻倍，新厂将缓解产能瓶颈，争夺更多AI/HPC客户。

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1.希腊金属公司METLEN签订镓的长期商业供应协议，镓是制造GaN、GaAs等化合物半导体的关键原料。

2.属于晶圆制造上游原材料环节，对应碳化硅、氮化镓等功率/射频芯片的晶片制备。3.Wolfspeed、英飞凌等欧美功率半导体厂商，以及欧洲本地材料供应商。4.在地缘风险下，欧洲保障关键原材料供应的努力有助于车载、工业用第三代半导体生产，降低对中国镓出口的依赖。

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1.两党参议员联名致信苹果，要求其停止采购被列黑名单的【长鑫存储(CXMT)】和长江存储(YMTC)芯片，警告构成国家安全风险。2.直接影响DRAM/NAND采购，若苹果妥协，将切断中国存储厂进入重要美国消费品牌的通路。3.苹果面临供应链切换压力，美光等非中系存储商有望受益，中国存储出口再遇阻力。4.政治压力加速美国科技巨头去中国化，可能进一步收紧非中国存储产能，推升价格。

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1.三星在Q2电话会指出，代理AI导致需求暴增，DRAM/NAND供应严重不足，短缺至少持续到2028年，2027年将比今年更严重。

2.属于存储芯片制造（前道晶圆制造），直接波及所有AI服务器及终端。3.三星、SK海力士、美光等原厂，以及云与服务器客户均受影响。4.为应对短缺，三星将60-70%产能分配给五年期长协(LTA)并收取预付款，行业从此转向更稳定的定价模式。

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1.三星NAND业务受AI服务器SSD驱动，企业SSD占NAND营收逾60%，同比增超20个百分点，QLC比特出货下半年将增长一倍以上。

2.属于NAND闪存制造（前道薄膜沉积、【蚀刻】等），并涉及SSD控制器与封装测试。3.三星、美光、西数等NAND厂商，以及超大规模数据中心采购方。4.NAND摆脱周期波动，成为AI驱动的价值业务；BV NAND八月量产、PCIe Gen6抢占市场，盈利能力将显著加强。

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1.三星HBM4客户验证顺利，Q3收入环比增长超三倍，HBM4将占HBM收入60%以上，并目标让HBM整体市场份额与常规DRAM相当。

2.属于后道先进封装与测试，HBM4制造涉及TSV、堆叠和测试流程。3.三星挑战SK海力士，NVIDIA等AI芯片客户将受益于供应增加。4.三星HBM4供应快速放量，有可能扭转此前落后局面，缓解AI服务器HBM瓶颈，并可能成为第一大供应商。

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