Veronica半导体速报

1. 三星集团分工推进玻璃封装技术，欲挑战台积电CoWoS生态；日产化学同步扩大布局HBM封装用介电材料。

2. 对应后道封装步骤中的基板/中介层与材料环节，尤其玻璃基板是次世代先进封装关键技术。

3. 影响三星、台积电、日月光等封装厂商，以及日产化学等材料供应商。

4. 为何关注：AI芯片越做越大，传统硅中介层易翘曲、散热难；玻璃凭借低热膨胀和低信号损耗成为新方案，将改变先进封装材料与设备格局。

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1. 英特尔发布优于市场预期的2026年Q2业绩及Q3财测，AI资料中心建置需求从GPU扩展至CPU与ASIC。

2. 重点落在光刻与先进封装等技术节点，14A制程为英特尔代工复兴核心。

3. 利好英特尔自身制造与代工业务，也可能影响台积电在先进制程的竞合态势。

4. 为何关注：14A（约当1.4nm级）是英特尔重振晶圆代工的关键技术节点，其成功与否将左右全球未来先进逻辑芯片产能分布。

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1. 宇瞻执行长表示DRAM极度稀缺，現階段最大风险是“买不到货”，其次才是“买贵”，原厂对2027年供货预估大减7成。

2. 事件发生在【DRAM晶圆制造】与后段封装测试环节，反映产能极度吃紧。

3. 主要影响三星、SK海力士、美光等原厂及所有存储器模组厂，下游PC、服务器品牌成本压力升高。

4. 为何关注：DRAM是AI服务器和所有运算设备的“主粮”，供给缺口将直接推高芯片成本并影响AI建置速度，新人须理解DRAM制造的高资本壁垒和长扩产周期。

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1. 韩国功率半导体厂EyeQ Lab传出已完成8吋SiC功率半导体量产验证，良率逾90%，最快8月出货。

2. 属于掺杂、外延及晶圆切割等前道制造步骤，是第三代半导体进展。

3. 利好韩国SiC产业链，也对英飞凌、安森美等IDM在车用/工业功率市场带来竞争。

4. 为何关注：SiC能承受高压高温，是电动车逆变器核心材料，8吋产线良率突破90%标志制造成熟度大提升，有助成本降低与产量放大。

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1. 长鑫科技27日于上交所科创板挂牌上市，首发募资约579亿元人民币，为中国科创板上最大IPO。

2. 资金将投入【DRAM晶圆制造】新产能建置，属前道制造产能扩张。

3. 利好中国存储设备及材料供应链，同时对三星、SK海力士、美光在DRAM市场的份额形成长期压力。

4. 为何关注：长鑫作为中国主力DRAM厂成功取得大规模扩产资金，将逐步改变全球存储制造版图，新人可借此观察“制造→上市→扩产”的闭环逻辑。

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1. 为应对AI市场需求，PCB厂掀起百亿级投资，大举扩建IC载板、类载板、HDI板等高阶产能，导致相关材料和设备极度紧张。

2. 涉及后道封装所用IC载板与高密度互连基板，是连接芯片与外部电路的桥梁。

3. 冲击欣兴、景硕、Ibiden等载板厂及材料设备供应商，AI芯片封装成本恐因此上升。

4. 为何关注：AI大芯片需要大面积、高层数载板，其层压与钻孔难度极高，材料和设备瓶颈将直接掐住先进封装扩产咽喉。

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