Veronica半导体速报

1. 黄仁勋在彭博采访中表示，NVIDIA目前供应受HBM和LPDDR内存短缺、土地、电力与建筑工人的制约，行业有翻倍能力但实际增产困难。

2. 属于产业链先进封装与【DRAM制造】环节：HBM涉及TSV和CoWoS等封装步骤，LPDDR是移动端/服务器紧耦合DRAM。

3. 直接影响三星、SK海力士、美光等内存供应商，间接制约云厂商AI算力扩张。

4. HBM是AI芯片核心外存，短缺将使NVIDIA GPU出货受限，凸显存储厂扩产速度落后于AI需求，半导体新人可借此理解存储与算力的深度绑定关系。

^[1]

1. 高盛与中国DRAM专家电话会指出，中国DRAM报价与全球大厂相当，即使良率较低也不压价；3D DRAM预计2027年取得进展；合肥、上海、北京扩产项目2028年满产；部分产线大量使用国产设备，但光刻机等高端工具仍靠进口。

2. 环节集中于DRAM前道晶圆制造（光刻、蚀刻、沉积等）及后道封装测试。

3. 长鑫存储等中国厂商提速，国产设备商如北方华创、中微公司受益，但ASML光刻机仍是关键瓶颈。

4. 中国存储追赶速度超预期，虽然良率待提升但价格已具竞争力，光刻设备自主化与3D DRAM技术成为下一关键战场。

^{[2] [3]}

1. AI训练场景下，存储价值不再只看每TB成本，更需计算$/GPU-hour；如果闪存速度提升能减少GPU闲置时间，昂贵的闪存反而降低总训练成本。

2. 虽不直接对应制造步骤，但这一模型将推动数据中心选择更高性能闪存和HBM，影响NAND和DRAM产能分配。

3. 三星、SK海力士、铠侠等NAND/闪存供应商，以及云服务客户的存储采购策略可能改变。

4. 对新人来说，理解这一信号有助于看清AI如何重写存储需求规则：速度比容量更值钱，未来GPU紧耦合的高速存储将持续受益。

^[4]