Veronica半导体速报

1. Intel公布Q2营收161亿美元，同比增长25%，创15年最大增幅；Intel 18A-P制程按计划进入风险生产阶段。

2. 风险生产是量产前的重要过渡，涉及完整晶圆制造流程（尤其光刻步骤6），产品设计接近冻结以验证工艺稳定性。

3. 利好Intel自身产品与代工业务，同时推动ASML等设备供应商订单；财报提到部分Panther Lake处理器已用High-NA EUV量产。

4. 18A是Intel重夺技术领导力的关键节点，风险生产里程碑显示其先进制程进展符合路线图，将加剧与台积电、三星的竞争。

1. 韩国总统政策幕僚长透露，三星电子与SK海力士将在总统李在明访问硅谷期间，公布与美国领先科技企业的非常大规模合同。

2. 涉及环节可能包括晶圆代工与HBM先进封装（对应流程步骤6、15），锁定高端逻辑芯片和AI存储供应。

3. 潜在签约方可能涵盖英伟达、AMD、苹果等，直接巩固韩国在AI/HPC半导体供应链中的核心地位。

4. 此举反映AI驱动的先进制程和存储产能稀缺，长期订单将重塑全球产能分配格局，值得新人关注制造环节的供需传导。

1. AMD下一代旗舰GPUMI500将采用光互连技术，在HBM集成与4芯片封装互连方面超越Nvidia Rubin Ultra。

2. 该技术直接作用于封装步骤（流程第15步），用光信号取代电信号实现芯片间通信，显著提升带宽与能效。

3. 影响AMD、英伟达及光互连器件供应商，可能加速硅光子与共同封装光学赛道成熟。

4. 光互连是突破大算力chiplet的散热和功耗瓶颈的关键，新人可理解为“用光纤代替铜线连接芯片内部组件”。

1. 华为副董事长徐直军公开表示，公司已找到工作路径，无需EUV光刻机等领先设备也能生产接近最先进水平的硅芯片。

2. 这通常涉及多重图案化、自对准等工艺改进，直接影响光刻、【蚀刻】和薄膜沉积等前道步骤（步骤6、7、5）。

3. 可能影响中芯国际、华为海思等国内企业，并对ASML、应用材料等设备商在中国市场的布局产生长期冲击。

4. 若实现规模量产，将打破出口管制的技术路径封锁，新人可关注这对国产替代和成熟制程创新竞赛的深远意义。

1. SK海力士据报道已开始招聘3D堆叠DRAM-on-Logic工程师，该架构将DRAM直接垂直集成在逻辑芯片上，并已确保一家美国客户。

2. 该技术属于先进封装（步骤15），可能采用混合键合实现高密度互连，打破传统2.5D HBM的外置堆叠限制。

3. 影响客户端AI芯片设计商、SK海力士自身及三星等对手；移动处理器与端侧AI应用将率先受益于【超紧凑集成】带来的功耗优势。

4. 这标志着存储与逻辑的整合进入三维时代，新人可将其视为“把内存和处理器盖成垂直楼房”，大幅缩短数据搬运距离。

1. 中国DRAM龙头【长鑫存储】（CXMT）定于7月27日上市，IPO预计筹资人民币579亿元，为科创板开板以来最大规模募资。

2. DRAM制造涵盖从硅晶圆到封测的全流程（尤其薄膜沉积、光刻、【蚀刻】等前道步骤），产能扩张将直接拉动国产设备与材料需求。

3. 长鑫存储的加速追赶对三星、海力士、美光等现有DRAM巨头形成价格与份额压力，并刺激国产替代链成长。

4. 巨量资金注入将支撑其技术赶超与产能爬坡，新人需注意存储芯片产业的周期性波动与此次IPO对全球DRAM格局的潜在冲击。