1. SK海力士通过其美国子公司招募工程师，首次正式开发3D堆叠DRAM-on-logic技术，将内存垂直堆叠在逻辑芯片上。
2. 属于先进封装环节，通过缩短芯片间距极大提升数据带宽并降低功耗，远超当前PoP封装。
3. 影响SK海力士、可能合作的美国客户（推测为苹果或【高通】），以及台积电等代工厂。
4. 底层意义：这是为破解端侧AI设备的内存墙难题而生，若手机AP能用上该技术，离线运行大模型将不再是瓶颈。
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Veronica半导体速报
本周半导体行业围绕先进封装与2nm/3nm制程展开激烈竞逐，SK海力士正式进军3D堆叠DRAM以锁定端侧AI市场，同时AMD确认其新一代CPU/GPU均已采用台积电2nm及CoWoS-L先进封装，而存储芯片市场则因机构看空报告出现需求分歧信号。
厂商动态
技术进展
AMD新一代旗舰芯片全面拥抱台积电2nm与CoWoS-L封装
1. AMD Venice CPU与Instinct MI455X GPU已在台积电投产，采用最尖端的2nm制程。
2. 覆盖光刻至先进封装环节，两款芯片均使用CoWoS-L封装；其中MI455X更是先用SoIC实现3D混合键合堆叠，再用CoWoS-L连接HBM。
3. 利好台积电和承接部分CoWoS订单的日月光，并使AMD在AI算力军备竞赛中维持硬件竞争力。
4. 新人须知：这标志着AMD首次将旗下最核心的CPU与AI GPU同步拉上2nm节点，且用上了当前产能最吃香的CoWoS先进封装。
[2]供应链变化
台积电3nm制程满载运行，特斯拉AI5与高通新旗舰确定采用
1. 台积电3nm（含N3P）产能持续满载且订单能见度直至2027年，已锁定特斯拉人形机器人/汽车AI5芯片与【高通】骁龙8 Elite Gen 5。
2. 属于光刻与【蚀刻】等前道制造环节，这两家大客户确保了未来数年3nm先进制程的投片量。
3. 直接受益者为台积电，间接带动其上游的硅晶圆与设备供应链。
4. 产业意义：3nm作为当前最先进的量产节点，其客户结构从手机扩展至人形机器人和自动驾驶，应用潜力正在被解锁。
[4]市场与需求
NVIDIA 800V HVDC架构延期至2027年，设计验证成主因
1. 市场传闻NVIDIA的800V HVDC电源架构将从2027年延至2028年，但供应链确认系产品设计验证延迟，非技术路线改变，预计2027年Q1末开始小批量生产。
2. 属于数据中心供电基础设施，服务于Rubin平台等高功耗AI服务器机架。
3. 主要影响台达电、新普等电源与电池备援系统供应商的交货节奏。
4. 关键点：随着Rubin Ultra机架功耗飙升至600kW-1MW，传统供电方案的电流与损耗无法承受，800V高压直流是刚需，延期只是短期阵痛。
[3]摩根士丹利发布看空报告：NAND市场库存高企需求蒸发
1. 大摩分析师指出NAND模组厂商库存高达【13周】（逼近新冠时期的15周峰值），且现货价在过去两月持续下跌，断言“需求已蒸发”。
2. 主要集中在测试与市场销售端，反映了终端消费电子的颓势传导至存储原厂。
3. 潜在承压方为三星、SK海力士、美光及长江存储，高库存恐将拖累Q4的NAND定价权。
4. 新人需警惕：存储行业是强周期行业，当市场库存过高且需求跟不上，往往引发价格战，这也是近期韩国股市承压的直接导火索之一。
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