Veronica半导体速报

1. 拆解显示麒麟9030最小【金属间距】为32.5nm，比Intel 18A的Panther Lake金属间距小约10%

2. 属于后段互连光刻与【蚀刻】步骤，中国晶圆厂在无EUV条件下实现更密互连

3. 可能影响【华为海思】芯片竞争力，也为受设备管制的国内先进制程指明多重曝光技术路线

4. 蔡司指出，缺EUV只能依赖更复杂的多重曝光，虽可缩小间距但良率和成本挑战巨大

1. Fraunhofer与ASML研究显示，3D掩模效应可增强High-NA EUV及Hyper-NA EUV光刻成像

2. 属于核心光刻步骤，直接指导下一代极紫外光刻工艺开发和掩模设计

3. 对台积电、三星、英特尔等采用High-NA EUV的先进逻辑厂有重要参考价值

4. 此技术有助于突破2nm以下节点光刻解析力瓶颈，降低缺陷率并提升良率

1. 台积电在原有1650亿美元投资基础上再追加1000亿美元，规划新增4座先进晶圆厂

2. 属于前道【晶圆制造】全流程，涉及从硅晶圆到测试的所有步骤

3. 直接强化台积电美国产能，影响苹果、AMD、英伟达等客户先进制程供应

4. 市场担忧海外扩产压缩毛利率，但此举将重塑全球先进制程产能地理布局，降低地缘风险

1. 环球晶与美光签署长达10年的硅晶圆采购长约，Sumco续约价可能调涨20%

2. 属于产业链最上游晶片制备（硅晶圆制备）步骤，供应紧张向上游传导

3. 利好环球晶、信越化学、Sumco，对存储器厂美光等确保稳定原料供应

4. 12吋硅晶圆长约预示供应持续吃紧，AI与存储需求拉动下，上游材料厂话语权增强

1. 华为与昇维旭在深圳建设12吋DRAM厂，初期采用28纳米制程，月产能14万片

2. 涵盖存储器【前道晶圆制造】到封装测试全流程，旨在降低海外存储依赖

3. 直接挑战三星、SK海力士、美光的DRAM供应格局，加速中国存储器自主

4. 标志着华为正式深入AI记忆体供应链，28纳米虽非先进但可实现国产替代并积累经验

1. 三星与SK海力士积极推进CXL内存产品，三星推出CMM-D 2.0模块，扩展CPU外DRAM容量

2. 属于后端封装与系统互连步骤，基于CXL协议实现内存池化和层级化

3. 影响AI服务器内存架构，利好三星、SK海力士及CXL控制器方案商Marvell等

4. CXL内存可缓解内存墙瓶颈，AI推理对高容量、高带宽内存的需求推动产业链加速产品落地