存储市场格局剧变:三星/SK海力士/美光放弃自研CXL控制器,转向外包模式;同时为应对NVIDIA CMX爆发性需求,三星加速V10 NAND量产并深化与NVIDIA的联盟。

技术进展

三星-NVIDIA联盟扩至NAND领域,V10 NAND开始出货并瞄准CMX存储

1. 发生了什么:三星已开始向NVIDIA供应其第十代V-NAND (V10)产品,并加速提升第九代(V9)产能,以锁定NVIDIA下一代存储系统CMX的巨额订单。

2. 属于产业链哪个环节:属于前道薄膜沉积和【蚀刻】(3D NAND堆叠)环节的产能分配,以及封装测试后的成品出货。

3. 可能影响的公司或赛道:利好NAND原厂三星,同时对NAND闪存控制器、SSD模组厂构成需求拉动;竞争对手SK海力士(Solidigm)及铠侠/西部数据面临更大供应竞争。

4. 为什么值得关注:NVIDIA CMX配置了576块SSD,明年预计将消耗超1亿TB的NAND,相当于凭空增加一个苹果公司体量的需求。这迫使三星将V9良率提升至80%以上并计划引入材料来提升V10性能。

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台积电A14制程SRAM良率逼近90%,2nm赴美投资再加码

1. 发生了什么:台积电已实现A14(1.4nm级)工艺的SRAM良率接近90%,并计划于2027年启动风险试产;同时确认在美投资总额已达2650亿美元以锁定2nm产能。

2. 属于产业链哪个环节:处于前道光刻、【蚀刻】及清洗等先进制程研发节点,SRAM良率是衡量新工艺成熟度的关键指标。

3. 可能影响的公司或赛道:巩固台积电在先进制程的绝对领先地位,主要受益者将是未来需要A14/2nm的苹果英伟达等HPC客户;设备商ASML(High-NA EUV)、材料及化学品供应商同步受益。

4. 为什么值得关注:SRAM良率是逻辑芯片工艺的试金石。虽然A14仍处早期开发,但接近90%的良率显示出极强的工艺控制力,为未来2nm及更先进节点的落地铺平了道路。

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吉林大学实现N极性GaN/AlGaN异质结二维电子气迁移率新纪录

1. 发生了什么:吉林大学研究团队在碳化硅(SiC)衬底上成功制备出【N极性】的GaN/AlGaN异质结,其2DEG(二维电子气)迁移率创下世界纪录。

2. 属于产业链哪个环节:属于晶圆制备环节中的外延生长步骤,是第三代半导体材料研发的前沿。

3. 可能影响的公司或赛道:潜在受益者为GaN射频/功率器件代工厂及设计公司,有望提升5G/6G基站及雷达系统的功率放大器性能。

4. 为什么值得关注:传统的镓极性GaN已实现商用,而N极性GaN因更高的电子迁移率和更低的接触电阻,被公认是突破高压高频性能极限的新方向。该成果为下一代高效率射频器件和【高频功率芯片】铺平了关键材料路径。

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市场与需求

存储三巨头全面弃守自研CXL控制器,市场向Marvell等设计公司敞开

1. 发生了什么:三星SK海力士美光三大存储巨头已停止或缩减自研CXL内存控制器的商业化计划,全面转向从MontageAstera Labs等无厂设计公司采购。

2. 属于产业链哪个环节:此举影响内存模组与CXL互连部分的芯片设计环节,将控制器的设计与DRAM制造分离开来。

3. 可能影响的公司或赛道:CXL控制器设计公司(Marvell、Montage)直接受益;服务器内存模组厂和CXL生态系统的普及速度将加快。

4. 为什么值得关注:此前巨头们试图将控制器与DRAM捆绑销售以维持高利润,但客户(超大规模数据中心)倾向于使用更灵活的开放架构。最终巨头们为避免与自身大宗DRAM业务产生“自相残杀”,放弃了独吞生态的想法。

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服务器DRAM现货价溢价接近150%,SK集团会长呼吁稳定供应优先

1. 发生了什么:服务器DRAM (64GB)现货价已飙升至3100美元以上,相较6月底合约价溢价146%

2. 属于产业链哪个环节:属于存储芯片制造完成后的市场定价与渠道分配阶段,直接影响下游服务器组装及数据中心客户的BOM成本。

3. 可能影响的公司或赛道:直接利好DRAM原厂(三星、SK海力士、美光)的盈利能力;但对服务器集成商及云计算厂商构成成本压力。

4. 为什么值得关注:受沙特等国家主权AI项目及新数据中心测试需求拉动,现货市场严重供不应求,重现了今年一月合约价未跟涨前的抢货盛况。SK集团会长更是指出,明年AI半导体供给缺口将进入“彻底混乱”,当前优先目标是保障供应而非追求利润率。

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