Veronica半导体速报

1. 韩美半导体与韩华Semitech就热压键合（TCB）设备展开专利纠纷，该设备是HBM堆叠的核心。

2. 属于后道封装环节（步骤15），直接影响HBM产能与良率。

3. 专利结果将影响两家设备商市场份额，进而波及SK海力士、三星、美光等HBM供应。

4. TCB为先进封装中用于芯片垂直互联的关键，专利权归属可能改变HBM设备供应链格局。

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1. Kimi K3大模型因用户暴增导致GPU容量逼近极限，被迫暂停新订阅；NVIDIA内部研发部门也为争夺芯片调停。

2. 属于下游市场需求端（AI推理），影响GPU/HBM分配。

3. 影响NVIDIA、台积电（先进制程订单）及AI云端服务商。

4. 显示开源大模型推理对算力的吞噬速度远超预期，即使内部供应商也面临短缺，强化AI芯片长期需求逻辑。

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1. 相较英特尔积极导入，三星对High-NA EUV光刻机量产投入持保守态度。

2. 属于光刻环节（步骤6），决定2nm以下制程路线。

3. 影响ASML（设备订单）、三星代工竞争力及客户选择。

4. 三星认为当前High-NA成本太高，倾向优化EUV多图案化方案，可能延缓其先进制程追赶，利好台积电客户转单。

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1. 蔡司作为ASML EUV独家光学供应商，双方形成“两公司一事业”模式；蔡司加速开发用于Chiplet、HBM和CPO的光学系统。

2. 覆盖光刻（步骤6）和先进封装（步骤15及CPO相关），是EUV光源和高精度光学关键。

3. 受益者包括ASML、蔡司，以及台积电、三星等采用先进封装与CPO的晶圆厂。

4. 光学技术从晶圆曝光延伸到封装互联，蔡司的布局显示AI芯片集成需要全流程光学创新，巩固其在半导体设备链的垄断地位。

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1. 长鑫科技12英寸DRAM厂加速建设，预计年底月产能达35万片，并计划大规模IPO。

2. 属于前道晶圆制造（步骤1及后续制程），扩充DRAM晶圆产能。

3. 可能影响三星、SK海力士等全球DRAM供应格局，以及设备、材料供应商。

4. 长鑫突破美国管制，若达15%市占率门槛，将改变内存市场势力版图，需关注良率与管制风险。

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1. 三星、SK海力士将可调配产能优先给服务器DDR5，因其获利已接近HBM；同时SLC NAND合约价单季涨近10倍，DDR4需求因供应紧缺而复兴。

2. 属于存储芯片产出（前道制造至后道测试），由市场供需驱动。

3. 影响三星、SK海力士、美光、南亚科、华邦等DRAM/NAND厂商及下游服务器、汽车客户。

4. 存储厂在不同产品间调配产能以利润最大化，导致标准品短缺与价格飙升，反映出AI存储器对通用芯片的挤出效应。

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