Veronica半导体速报

1.台积电A14制程（相当于1.4纳米）内部验证达到目标的近90%，量产时间仍锁定2028年。

2.属于前道晶圆制造光刻与【蚀刻】等关键环节，是先进工艺节点推进的重要里程碑。3.直接影响台积电自身及其大客户（如苹果、英伟达），并拉大与三星、英特尔的技术差距。4.对新人来说：A14比当前3纳米还要先进两代，晶体管更密集，芯片性能更高、功耗更低，验证进度快意味着整个产业链可提前为EDA工具和IP准备。

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1.RRAM、MRAM被业界认为前景广阔，Ferroelectric RAM（FeRAM）仍虎视眈眈，而新型UltraRAM则规划首次亮相。2.多数为薄膜沉积、特殊材料与后端集成步骤，可嵌入逻辑芯片或作为独立存储。3.台积电、三星、英特尔等已布局嵌入式MRAM，瑞萨等MCU厂商及AI推理芯片商也是潜在受益者。4.这些存储器断电不丢数据且读写速度快，未来有望替代部分SRAM或Flash，实现“存内计算”，对低功耗AI和物联网非常关键。

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1.博世获得美国CHIPS法案2.25亿美元直接资助，将把加州Roseville工厂转型为碳化硅（SiC）功率半导体生产基地。2.对应晶片制备、掺杂及封装测试等步骤，专注于高电压、高温耐受的SiC器件。3.博世自身供应链及SiC衬底供应商（如Wolfspeed）受益，电动车客户也将获得更稳定供应。4.碳化硅能让电动车逆变器效率更高，之前全球产能主要聚集在亚洲和美国少数厂，这笔补贴有助强化美国本土车用芯片安全。

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1.【长鑫存储】的DDR5内存被测试发现性能与一致性落后于SK海力士，出现电压调节困难且手动超频能力较弱。2.涉及封装测试及前道的晶片、掺杂等DRAM制造全流程，反映了量产良率和成熟度。3.影响长鑫存储自身市场信誉，以及计划导入国产DRAM的PC厂商，SK海力士和三星则有望维持高端份额。4.这意味着国产DRAM已迈入DDR5时代，但与一线原厂仍有代差，性能一致性是走向数据中心等高端市场的关键门槛。

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