Veronica半导体速报

1. 台积电公布2Q26财报，营收402亿美元，同比增33.7%；净利润223.7亿美元，增77.4%创历史新高

2. 毛利率67.7%，营业利润率60.3%，均超越指引上缘，主要受益于内部成本优化与产能利用率提升

3. 上调2026全年资本支出至600-640亿美元，较先前“高于560亿”指引大幅提升

4. 追加投资为满足AI/HPC强劲需求，将扩大先进制程与封装产能，直接拉动光刻机、【蚀刻机】等前道设备采购

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1. 韩媒报道三星已安装2台High NA EUV光刻机，但采取谨慎策略，未投入量产

2. 代工部门预计最早4Q扭亏，若加速拉设备会因折旧和运营支出拖累盈利

3. 目前2nm良率约55%，接近业界认可的60%稳产门槛，制程本身已具备支持High NA EUV的条件

4. 显示三星在盈利与尖端投资间权衡，可能影响光刻步骤的设备利用率，也暗示良率提升仍有余地

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1. 细间距混合键合（Hybrid Bonding）量产仍受颗粒控制、对准精度等关键瓶颈制约

2. 同时低热预算电介质、新型金属化等替代材料方案在研，为超高密度互连提供新工艺选项

3. 混合键合是先进封装实现3D堆叠的核心技术，对HBM、Chiplet互联至关重要

4. 量产化将影响封装和测试环节设备与材料需求，目前设备商和材料商正竞逐商用先机

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1. 2nm制程在2Q26贡献晶圆营收3%，标志着该节点正式进入商业化阶段

2. 3nm占30%，5nm占33%，7nm及以下合计占晶圆营收77%，先进制程占比进一步提升

3. 2nm仍处于产能爬坡期，库存天数升至87天，后续产能释放将直接影响晶圆代工格局

4. 新工艺早期量产常伴随薄膜沉积、【蚀刻】等步骤的良率提升周期，设备与材料供应商将优先受益

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1. 董事长魏哲家宣布追加1000亿美元在美国投资，建造数座晶圆厂和先进封装厂

2. 同步宣布在台湾、亚利桑那、日本各建1座3nm晶圆厂，应对强劲需求

3. 提及欢迎竞争对手加入先进封装扩产，包括英特尔，台积电正全力缩短供需缺口

4. 巨额资本支出将撬动化学机械抛光、溅射、封装等配套设备与材料需求，利好全球供应链

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1. Counterpoint预测【长鑫存储（CXMT）】到2028年将占据全球DRAM市场11%的份额

2. 中国存储器厂商在全球竞争中影响力显著上升，将改变DRAM供应的地域平衡

3. 若预测兑现，将增加对硅晶圆、高K材料等前道材料的需求，并可能引发新一轮产能竞赛

4. 当前DRAM仍由三星、SK海力士、美光主导，新玩家崛起将影响供应链议价格局

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