1. TrendForce报告指出,2026年CPO(共封装光学)迎来首次规模量产,相比等效1.6T可插拔光模块功耗减少30%-40%。
2. 属于后道封装与光学互连环节,是将光收发器和芯片封装在一起,简化电信号路径以节能。
3. 光纤对准、散热及测试成本制约扩产,硅光子晶圆、InP衬底和高精度连接器集中在少数供应商,影响台积电、日月光以及光模块厂。
4. 新人可理解为:数据中心的“高速公路收费站”从芯片外挪到芯片内,省电又提速,但制造难度堪比心脏搭桥。详见
[6]High NA EUV里程碑落地,英特尔18A工艺正式量产处理器;英伟达否认Vera Rubin延期,AI芯片竞赛升温;存储市场分化,DRAM涨价遇阻而NAND需求超预期。
1. TrendForce报告指出,2026年CPO(共封装光学)迎来首次规模量产,相比等效1.6T可插拔光模块功耗减少30%-40%。
2. 属于后道封装与光学互连环节,是将光收发器和芯片封装在一起,简化电信号路径以节能。
3. 光纤对准、散热及测试成本制约扩产,硅光子晶圆、InP衬底和高精度连接器集中在少数供应商,影响台积电、日月光以及光模块厂。
4. 新人可理解为:数据中心的“高速公路收费站”从芯片外挪到芯片内,省电又提速,但制造难度堪比心脏搭桥。详见
[6]1. ASML与英特尔共同确认,High NA EUV光刻技术已在英特尔18A工艺上进入量产,用于最新酷睿Ultra系列处理器。
2. 该突破属于前道制造第6步光刻环节,正式拉开新一代EUV技术大规模应用的序幕。
3. 直接利好ASML光刻设备出货,巩固英特尔代工的先进制程竞争力,并可能吸引更多外部设计订单。
4. High NA EUV可实现更高分辨率和更少图案,是2nm及以下节点的关键使能技术。官方链接
[1]1. 设计自动化大会上,Arteris发布新一代互连IP,专门针对AI计算、Chiplet架构和异构集成的数据流优化。
2. 虽属芯片设计自动化(EDA/IP),但直接作用于前道晶圆制造前的架构规划,影响光刻掩模及多芯片互联的实际效率。
3. 可提升英伟达、AMD等AI芯片厂及芯粒集成商的设计生产力,缩短从设计到流片的周期。
4. 相当于给复杂芯片画“交通路线图”的工具升级,让数十颗小芯片能高效协作,是Chiplet生态的关键粘合剂。详情
[7]1. Aehr宣布新获超过800万美元的碳化硅晶圆级老化测试设备订单,用于支撑全球电动车功率器件生产。
2. 位于制造流程中的测试环节(第16步),尤其是晶圆级老化筛选,对保证SiC器件可靠性至关重要。
3. 订单流向测试设备商Aehr,反映下游车规级芯片厂(如意法半导体、英飞凌)对SiC产能的持续投资。
4. 电动车需承受高温高压,将缺陷早筛出来的老化测试成为刚需。该订单印证SiC产业扩产趋势。原文链接
[5]1. 调研机构GFHK指出,客户对DRAM近30%的涨价幅度强烈抵制,故下调三季度DRAM价格预期;同时上修NAND前景。
2. 属于产业链中晶圆制造(DRAM和NAND)及后道测试封装的价格变化,影响步骤涵盖沉积、蚀刻、封装。
3. NAND受益于AI推理中的KV缓存卸载,以及替代昂贵DRAM的趋势,利好SK海力士、三星等NAND供应商,其Q2营收预计85万亿韩元、毛利率63%。
4. 简单说:AI推理需要海量数据暂存,用便宜的NAND部分替代DRAM正成为新风潮,改变存储供需格局。
[4]