◆ 速报总结

今日半导体重点聚焦于存储芯片产能大扩张：三星计划在器兴建月产能10万片的新DRAM厂，而中国华为与昇维旭联手在深圳筹建14万片/月的28nm DRAM项目。同时【HBM技术路线】出现新构想，以竖立DRAM die取代平堆提升带宽，【长鑫存储】则启动科创板IPO。

技术进展

HBM技术新构想：竖立DRAM die取代平堆提升带宽

1. 韩日研究团队提出将HBM中的DRAM die竖立（侧放）而非水平堆叠，以在不增加高度下提升容量与带宽

2. 属于后道封装环节，影响及TCB/混合键合等先进封装技术路线

3. 若成熟可应用于三星、SK海力士等HBM制造，可能改变HBM4及以后的设计

4. 该构想有望突破当前HBM堆叠高度限制，为AI和HPC领域提供更高内存带宽，但尚处学术/预研阶段

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供应链变化

Samsung

三星电子器兴园区新建DRAM工厂，月产能10万片

1. 三星计划将器兴园区原R&D中心改建为DRAM生产线，月产能10万片，总投资达数十万亿韩元

2. 属于前道【晶圆制造】环节，直接扩充DRAM产能

3. 影响三星自身的产能结构和HBM供应能力，也会波及设备与材料供应链

4. 此举反映AI基础设施投资引发的内存短缺已迫使三星在R&D与生产之间优先扩产，可能缓解HBM和标准DRAM供需缺口

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Huawei

中国华为与昇维旭联手筹建深圳DRAM厂，月产能14万片

1. 华为与昇维旭(SwaySure)合作在深圳建12英寸DRAM厂，目标28nm制程，月产能14万片

2. 属于前道【晶圆制造】，并涉及晶片制备、光刻、蚀刻等环节，旨在突破成熟制程DRAM量产

3. 影响设备厂商及材料商，华为关联的“影子晶圆厂”包括鹏芯微、鹏新旭等，新昇维旭CEO为前台积电厂长

4. 显示中国在受限制程下加速本土存储器制造，可能改变成熟DRAM供应格局，并增加非美供应链需求

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存储芯片涨价推高日本二手智能手机销量

1. 日本新机价格因存储芯片涨价及日元贬值而大涨，二手手机销量同比增12.4%至360.7万部

2. 终端需求受存储芯片成本影响，映射晶圆制造与封装测试环节的涨价向下传导

3. 主要影响Apple、Google及【高通】/【联发科】等手机品牌及芯片厂

4. 显示存储芯片短缺已实质性抑制终端消费，可能进一步削弱新机出货，反噬部分芯片需求

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CXMT

长鑫存储启动科创板IPO，上市首五日无涨跌幅限制

1. 【长鑫存储(CXMT)】将登陆科创板，前五交易日无涨跌幅限制，其后±20%

2. 属于公司资本运作，IPO所得将用于晶圆制造扩产和研发

3. 影响中国存储器产业竞争格局，可能加速CXMT产能扩张和技术推进

4. 作为中国最大DRAM厂商，其上市将获得巨额资金支持，加剧与三星、SK海力士、美光的竞争，并可能推动设备国产化

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市场与需求

Samsung / Qualcomm / MediaTek

谷歌Pixel 11将采用联发科5G基带，挤下高通和三星

1. 供应链消息称谷歌已选择【联发科】的5G调制解调器芯片用于下一代Pixel 11

2. 属于终端测试与应用环节，反映手机芯片供应商格局变化

3. 影响【联发科】在高端基带市场的地位，高通和三星Losing份额，苹果手表后又一开拓

4. 联发科独立5G基带战略初见成效，有望进一步威胁高通在安卓旗舰机的调制解调器主导地位

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