Veronica半导体速报

1. 日厂Ibiden宣布投资5000亿日元大规模扩产IC封装载板以应对AI订单，但同步调整策略以平衡市场波动风险。

2. 核心涉及封装环节，ABF载板是AI芯片、HPC处理器实现FC-BGA封装的关键材料。

3. 三星因载板供应不足恐拖累其AI客制化SoC量产布局，加剧先进封装领域对优质载板产能的争夺。

4. 载板供需失衡将直接影响AI性能落地速度，因其决定了芯片与基板的连接密度，是先进封装的“地基”。 ，

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1. 中国AI芯片业者在受限于先进制程与HBM获取的背景下，转向【3D近存计算】等架构创新路径，东方算芯发布相关技术。

2. 涉及封装与薄膜沉积等多个环节的3D堆叠整合，改变传统冯·诺依曼架构的数据搬运延迟瓶颈。

3. 为受限的中国AI芯片供应链开辟差异化新方向，减少对单一先进制程晶体管的依赖。

4. 这类似于“换道超车”，通过将存储与计算在3D空间内紧密集成来解决带宽和功耗瓶颈，是后摩尔时代的重要竞争维度。

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1. 市场传闻三星HBM3E始终未能通过NVIDIA的资格认证并获得量产订单，目前仅处于样品供应阶段，打算在HBM4卷土重来。

2. 主要涉及掺杂后的存储晶圆制造与先进封装的混合键合技术，直接影响HBM的散热与良率性能。

3. 若消息属实，将使SK海力士继续独霸HBM3E主力订单，三星在AI核心存储市场面临被边缘化的风险。

4. HBM是高带宽内存的关键，是AI GPU不可或缺的存储搭档，该落后局面将严重影响三星在高端AI市场的晶圆代工及存储地位。

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1. 受中国出口管制与全球供应紧张影响，砷化镓、磷化铟等化合物半导体材料6月将再度涨价，三季度恐出现缺料。

2. 主要影响掺杂与薄膜沉积环节，特别是InP衬底作为光引擎与CPO核心材料，正升级为战略物资。

3. 下游RF射频芯片、光通信及AI高速传输供应链面临成本与供应双重风险，相关日企如住友电工已启动扩产。

4. 此类材料是射频与光电芯片的基石，涨价将直接传导至手机、基站及数据中心光模块，凸显化合物半导体在地缘政治中的脆弱性。 ，

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1. 联想海外版笔记本电脑首次搭载长江存储SSD，标志国产NAND Flash成功打入全球一线PC品牌供应链。

2. 涉及测试与封装后的模组集成环节，显示中国存储芯片在消费级产品上的品质与产能已获国际认可。

3. 将直接动摇三星、SK海力士等传统原厂在PC OEM市场的垄断地位，可能重塑全球NAND供应议价格局。

4. 这一里程碑意味着中国在存储芯片领域的追赶已从单纯制造，深入到品牌供应链替代，对全球存储价格产生长期抑制影响。

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1. 力积电针对DRAM代工投片价格大幅调涨45%，8吋/12吋逻辑代工也跟进涨价10-15%，毛利率攀升至28%。

2. 主要影响晶片（硅晶圆制备）后的存储晶圆代工环节，AI需求导致HBM与常规DRAM产能排挤效应加剧。

3. 反映AI驱动的存储【供需缺口】将持续至2027年，利好掌握产能的存储厂商，但上游IC设计与下游终端面临成本重压。

4. 存储代工模式的兴起与涨价，标志着在AI时代，记忆体从大宗商品转向客制化晶圆代工模式的趋势正在加速。 ，

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