台积电1.4nm量产时间大幅提前至2028年中,同时先进封装产能再扩3座;SK海力士Q2展望虽低于预期,但HBM长期增长信号明确。材料端InP衬底与测试环节本地化动向均释放AI需求持续外溢信号。

厂商动态

SK海力士2Q26盈利展望低于共识,HBM长期前景仍看好

1.SK海力士2Q26营业利润预计60.4万亿韩元,环比增61%但低于市场共识8%,主因HBM营收占比高而ASP增幅放缓。

2.属于存储芯片制造,直接影响HBM供应与定价。3.影响SK海力士自身估值及英伟达等客户成本;三星因定价优势或获得相对利好。4.HBM短期ASP增长放缓非衰退信号,LTA结构可望带来更稳定的长期盈利增长,对AI算力成本预期有指导意义。

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技术进展

台积电1.4nm制程量产时间表大幅提前

1.台积电1.4nm工厂预计2027年4月完工,2027年Q3试产,2028年中量产,进度远超预期。

2.属于前道【晶圆制造】核心环节(光刻、蚀刻等多步骤),代表逻辑制程最新节点。

3.可能影响苹果英伟达、【高通】等先进制程客户,以及ASML等设备材料供应商。4.1.4nm作为当前最先进节点之一,其提前推进将强化台积电技术优势,加速AI与手机芯片竞争。

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谷歌Tensor G6采用台积电2nm,三大手机SoC齐聚下半年

1.谷歌Pixel 11系列将搭载自研Tensor G6芯片,制造采用台积电2nm工艺,苹果A20、联发科天玑9600、高通骁龙8 Elite Gen 6亦将陆续推出。

2.属于前道晶圆制造(光刻等),终端为智能手机。3.台积电2nm产能被一线手机芯片客户锁定,巩固其先进制程垄断地位。4.2nm大规模进入手机标志着制程商用新里程碑,将进一步推动EUV设备需求并加速旧节点淘汰。

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供应链变化

台积电嘉义科学园区先进封装产能再扩充3座新厂

1.台积电计划在嘉义科学园区再建3座先进封装厂,使该园区总厂数达5座,第一、二座设备正在安装,2027年量产。

2.属于后道封装环节(步骤15),尤其涉及CoWoS等关键先进封装技术。3.直接受益客户包括英伟达AMD等AI芯片大厂,封装设备与材料供应链亦将受益。4.AI芯片高度依赖先进封装,此轮扩产直指当前产能瓶颈,验证AI中长期强劲需求。

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京元电子投资14亿美元在美建测试厂,服务英伟达等客户

1.英伟达主要芯片测试伙伴京元电子计划在美国投资14亿美元建首座工厂,2026年资本支出创历史新高。

2.属于后道测试环节(步骤16),半导体制造最后一步。3.直接服务英伟达、【博通】、英特尔等美国客户,也有助于测试设备商如爱德万。4.测试产能向美国本土迁移,体现供应链区域化趋势,降低地缘风险并提升响应速度。

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住友电工斥资180亿日元大幅扩产InP衬底产能

1.住友电工投资180亿日元升级产线,目标2028年将InP(磷化铟)衬底产能扩至2024财年的3.1倍。

2.属于最上游晶圆衬底(步骤1),InP主要用于光通信与高频射频器件。3.光模块与5G射频芯片供应商将受益,加速硅光子及CPO商用落地。4.InP是光电器件关键材料,扩产预示AI互联和光通信需求爆发,是化合物半导体赛道的高景气信号。

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