Veronica半导体速报

1. 美光将2035年前美国制造投资目标从2000亿美元上调至2500亿美元，并已签署16份战略客户协议获得需求可见度。

2. 涉及存储芯片前道制造步骤（光刻、蚀刻、3D NAND堆叠沉积等），扩产需采购大量设备与材料。

3. 直接影响：美光自身，以及设备商应用材料、Lam Research、硅晶圆供应商等。

4. 新人需知：投资目标上调意味着对设备、材料的长期需求极坚挺，背后是AI数据中心对内存与闪存的巨量需求。

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1. 台风芭薇被描述为40年来最强，台北等多县市已宣布停班停课，可能影响台积电等晶圆厂运行。

2. 直接影响前道晶圆制造全流程（光刻、蚀刻、沉积等），若停工将造成短期产出中断。

3. 受影响公司：台积电、联电及先进封装厂；全球AI芯片供应链可能出现短暂扰动。

4. 关键点：台湾为全球先进制程核心产区，哪怕停工一天也会影响数万片晶圆产出，尤其对紧缺的AI芯片供应雪上加霜。

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1. 台湾6月芯片出口同比增33.4%至241.1亿美元，Q2出口同比增43.7%；上半年DRAM出口暴增158.5%至185.5亿美元。

2. 涵盖芯片制造与DRAM存储，体现AI服务器终端需求火爆拉动上游晶圆出货。

3. 受益公司：台积电、联电等代工厂，以及美光、三星、SK海力士等存储厂。

4. 关键意义：AI相关芯片出货激增推动芯片设备进口同比大增58.9%（1H26设备进口+30.8%），预示先进制程扩产将进一步加速。

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1. SK海力士因韩国本土NAND新产能建设缓慢，决定重启大连Fab 2扩建，计划2026下半年开始设备安装；TrendForce指出中国正成为NAND生产扩张枢纽。

2. 涉及NAND闪存制造：深紫外光刻、高深宽比蚀刻、3D堆叠沉积等关键步骤，设备移入将拉动订单。

3. 影响公司：SK海力士、中国设备供应链，以及全球NAND设备龙头Lam Research等。

4. 关注点：韩企借中国厂扩大NAND产能，可能改变全球NAND供应格局并带动设备交期和订单量明显增长。

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1. SK海力士在美国上市ADR认购倍数达7倍，超过500家机构竞购，最终获配量因需求爆满被压缩。

2. 反映资本市场对HBM及AI服务器内存需求极度乐观，本质上是对封装和存储环节价值的重估。

3. 利好公司：SK海力士，并暗示三星、美光等HBM供应商同样面临强劲需求环境。

4. 新人理解：ADR火爆意味着投资者判断AI服务器存储将长期短缺，【HBM价值量飙升】正推动存储厂持续扩产。

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