1. 三星和SK海力士共同面临是否在下一代HBM中导入混合键合(Hybrid Bonding)技术的决策难题。
2. 该技术属于封装环节(步骤15),用于取代传统微凸块连接,实现更高带宽和更低功耗的存储堆叠。
3. 由于降低芯片厚度与提升散热等优势的重要性下降,市场预期混合键合的导入时间点可能从HBM4E再延后至HBM5。
4. 对于新人来说,这表示HBM的技术路线仍在演进,厂商在权衡性能、成本和量产难度,会直接影响AI芯片获取高速内存的进程。
[3]本周半导体动态聚焦AI数据中心需求带动的供应链变化:Meta启动1GW级数据中心建设,AMD与Nvidia在AI互连领域推进新标准;存储方面HBM混合键合导入或再延期,而Wolfspeed诉Navitas的GaN/SiC专利战直指800VDC商机,凸显功率半导体在AI供电中的关键地位。
1. 三星和SK海力士共同面临是否在下一代HBM中导入混合键合(Hybrid Bonding)技术的决策难题。
2. 该技术属于封装环节(步骤15),用于取代传统微凸块连接,实现更高带宽和更低功耗的存储堆叠。
3. 由于降低芯片厚度与提升散热等优势的重要性下降,市场预期混合键合的导入时间点可能从HBM4E再延后至HBM5。
4. 对于新人来说,这表示HBM的技术路线仍在演进,厂商在权衡性能、成本和量产难度,会直接影响AI芯片获取高速内存的进程。
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