1.Terafab聘请前Intel资深工程师Gary Jiang任总监，其拥有近18年Intel制造经验。
2.属于芯片制造前道【晶圆制造】环节的关键人才引进。3.直接服务于马斯克可能布局的领先制程芯片自研计划，吸纳Intel 18A工艺经验。4.行业老兵跳槽反映出AI公司自研芯片对台积电以外【代工技术】的渴求。
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Veronica半导体速报
本周三星HBM4E良率突破70%，下一代AI存储量产在即；中国Garen半导体建成全球首条氧化镓晶圆量产线，第三代半导体材料竞争加剧。同时，Intel扩建EUV光掩模产能，MLCC被动元件全面涨价，存储现货市场分化明显。
厂商动态
技术进展
三星HBM4E可靠性测试良率突破70%，D1d工艺目标11月量产
1.三星内部管理简报透露，第七代HBM4E内存可靠性测试良率已提升至70%以上。
2.属于晶圆制造中的DRAM工艺环节，及后道HBM封装堆叠。3.直接影响三星自身HBM供应，以及NVIDIAVera Rubin Ultra等下一代AI加速器的验证进度。4.良率达标是HBM4E进入成熟量产的关键信号，70%意味着开发进入稳定期，有望缩小与SK海力士的差距。
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Intel扩建Santa Clara园区，加码EUV光掩模产能以支撑18A/14A
1.Intel已启动圣克拉拉园区扩建，旨在提升用于EUV光掩模的生产能力。
2.属于光刻环节中的【光掩模制造】，是EUV光刻的关键支撑。3.服务于18A和14A先进制程，直接受益者是Intel代工服务及潜在的内部芯片需求。4.光掩模是芯片光刻的底片，扩大产能可确保18A等先进封装和制程在爬坡时不遭遇瓶颈。
[3]供应链变化
中国Garen半导体建成全球首条6/8英寸氧化镓同质外延晶圆量产线
1.Garen Semiconductor声称建成世界首条6英寸和8英寸氧化镓（Ga2O3）同质外延晶圆量产线，6英寸产品已出货。
2.属于晶片制备环节，专注下一代宽禁带半导体材料氧化镓，超越SiC/GaN。3.功率器件和射频应用的潜在颠覆者，直接影响中国正在构建的宽禁带全产业链。4.氧化镓有望以更低的成本实现更高耐压，这一量产突破标志着中国在第四代半导体材料上取得领先。
[2]被动元件巨头Yageo全系电容涨价50%，现货价涨幅近十倍
1.MLCC大厂Yageo已通知客户全面调涨电容产品价格，正式涨幅约50%。
2.属于电子零部件供应链，MLCC广泛用于封装测试、电路板和系统级组装。3.直接影响EMS/OEM厂商，如鸿海等组装厂及下游消费电子成本。4.交期延误频发，高端电容月内涨幅近十倍，反映AI和数据中心需求对被动元件的拉动已蔓延。
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