Veronica半导体速报

1. 世界先进表示电源管理IC(PMIC)、工业模拟芯片需求暴涨，订单能见度拉长至3-5个月，2026年底前产能持续紧缺。

2. 涵盖前道光刻、蚀刻等成熟节点步骤（40nm/22nm/28nm），第一座新加坡12英寸厂40nm良率已超99%。

3. 影响世界先进、台积电，以及联电、中芯国际等成熟制程代工厂，PMIC、模拟IC设计公司面临供给瓶颈。

4. 成熟制程（如40nm）虽然不如2/3nm先进，却是汽车、工控、消费电子不可或缺的“基础粮食”，短缺会卡住整条供应链。

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1. 台积电将华邦电纳入AI芯片供应链，由华邦电提供DRAM晶圆，台积电以晶圆对晶圆(WoW) 3D堆叠方式将DRAM直接堆叠在逻辑晶圆上。

2. 属于封装环节（步骤15），通过垂直互连缩短信号路径，提升带宽、降低延迟与功耗，类似HBM的另一种内存堆叠路径。

3. 影响台积电、华邦电，可能分流三星、SK海力士、美光的订单，强化台湾本地内存供应韧性。

4. 在AI芯片内存短缺下，台积电首次将本土中小型DRAM厂拉入前装供应链，新人可理解为“盖楼时直接把存储房间建在算力房间楼上”，不用绕远路。

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1. 市场预期台积电第二季毛利率接近70%，优于先前给65.5%-67.5%指引，第三季营收有望环比增长超10%。

2. 反映前道晶圆制造整体景气，尤其先进制程（3nm/5nm）产能利用率和价格坚挺。

3. 直接利好台积电，同步支撑设备、材料供应商，也可能带动代工报价上调。

4. 毛利率逼近70%说明台积电在AI芯片代工中几乎无对手议价，新人可视为“卖方市场”的极端信号，几乎所有产能都被高价订单锁定。

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1. 日本Rubycon、Nippon Chemicon、Nichicon及中国江海股份同步发布涨价通知，8月起铝电解电容、固态电容、薄膜电容全面调涨。

2. 铝电容属于被动元件，不直接对应晶圆生产步骤，但其涨价反映原材料（铝箔、铜、锡）与能源成本上升，可能间接推高模组与终端成本。

3. 影响电容厂商及AI服务器、工业设备制造商，台系电容厂有望跟进转嫁成本。

4. 此次调价因AI基建拉动需求叠加石油、金属价格高位，新人可理解为“盖厂房和造服务器的螺丝钉变贵了”，成本压力正从上游蔓延至全产业链。

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1. TrendForce指出NOR Flash和SLC NAND出货量持平，但因成熟制程产能严重不足，价格被价值重估推至历史高点。

2. 此类存储芯片制造依赖成熟制程晶圆厂，涉及光刻、蚀刻等步骤，产能被逻辑芯片挤压后形成结构性缺口。

3. 影响旺宏、华邦电、兆易创新等存储器供应商，IoT、汽车、工控等长尾应用面临供应不确定性。

4. 成熟节点产能转向先进逻辑芯片后，用量不大的“小产品”反而最缺货，新人可记住“大客户抢产能，小芯片先被牺牲”的供应链规律。

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1. 铠侠和SK海力士积极规划在美国通过存托凭证(ADR)挂牌交易，以拓展融资渠道和投资者基础。

2. 属于企业资本市场运作，间接影响NAND和DRAM的制造投资（扩产、研发）。

3. 影响铠侠、SK海力士的估值及融资能力，也可能提升行业整体资本开支预期。

4. 内存厂商寻求赴美上市，背后是AI竞赛下巨大的资本支出压力，新人可把ADR理解为“去美国股市开个分店”以便募集更多资金扩产。

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