Veronica半导体速报

1. SemiWiki深度分析Intel 18A与增强版18A-P工艺节点的区别。

2. 属于【前道晶圆制造】中的光刻、【蚀刻】与掺杂技术节点选择，直接影响芯片设计与制造策略。

3. 主要影响Intel的代工业务及与其合作的IC设计客户。

4. 对新人而言，18A相当于Intel的“地基”，而18A-P是“精装修版”，通过优化光刻和材料（如背面供电）提升性能和良率，是理解Intel代工竞争力的关键。原文链接

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1. 英飞凌开始提供基于750V CoolSiC G2技术的【碳化硅（SiC）双向开关】样品。

2. 属于制造流程中掺杂环节的宽禁带材料创新，并直接应用于芯片设计，可简化AC-DC转换等功率拓扑。

3. 主要影响新能源、电动汽车充电桩、工业电源领域的芯片设计商和系统厂商，巩固英飞凌在SiC功率的领先地位。

4. 传统开关是单向“阀门”，双向开关则是一个可控“旋转门”，用一个器件取代多个，使电源系统更小、更高效，是功率半导体的重要演进。原文链接

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1. 英飞凌推出EasyPACK S功率模块和顶部冷却H-DPAK封装，专为高功率密度场景优化。

2. 这属于制造流程后道的封装环节，聚焦于提升散热能力和集成度。

3. 直接服务于电动汽车车载充电、DC-DC转换等应用，强化英飞凌在车规级功率模块的竞争力。

4. 把芯片封装想象成给芯片“盖房子”，顶部冷却法是将散热片直接盖在芯片“屋顶”上，降温效果更好，能让芯片在更小体积下输出更大功率，是解决AI和电动车散热痛点的关键。原文链接

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1. TrendForce探讨硅电容在AI服务器中取代MLCC的可能性，结论为“关键的补充，而非完全替代”。

2. 属于封装环节，影响基板层面被动元件选用，尤其是Chiplet和HBM设计中的近芯去耦。

3. 市场目前仍由MLCC主导，但硅电容因超薄、低ESL特性，在先进封装集成中扮演新角色，产能和验证周期是关键瓶颈。

4. 新人可理解为MLCC是给芯片供电的“大水库”，而硅电容是紧挨着芯片的“小水塔”，离得更近，对瞬间电流响应更快，两者配合才是最优方案。原文链接

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1. SemiAnalysis指出，中国前道设备进口数据显示，【蚀刻设备】进口额同比降18%，而沉积设备进口额同比增3%。

2. 精准指向【蚀刻】与薄膜沉积两大制造环节的设备供应链变化。

3. 国内设备商Naura在长鑫存储的蚀刻份额领先，侵蚀应用材料、东京电子等国际大厂在华份额。

4. 这表明在较为成熟的蚀刻环节，国产替代已见成效；但在更复杂的薄膜沉积环节，对外依赖度依然很高，本土化攻坚仍是重点。原文链接

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1. TrendForce数据显示，村田、三星电机等主要MLCC供应商BB值已超1.0，订单涌入远超出货，预示涨价与缺货。

2. MLCC是封装环节中贴在基板上的关键被动元件，用于稳定芯片供电。

3. 直接受惠厂商为【村田】、三星电机、太阳诱电；需求端来自NVIDIAGPU与谷歌、Meta等自研AI芯片。

4. AI芯片功耗高，需要更多MLCC来稳定电流，就像大功率引擎需要更多稳定剂。需求暴涨而产能扩建滞后，将导致高端MLCC供应紧张再次上演。原文链接

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