1. IBM公布7埃(0.7nm)垂直堆叠纳米片晶体管架构,采用精确斜面交错排列,突破传统平面晶体管结构限制。
2. 属于产业链中的光刻和【蚀刻】环节——纳米片结构需要在晶圆上反复进行极紫外光刻和原子级蚀刻来实现精确的三维堆叠。
3. 该技术可能影响台积电、三星、英特尔等先进逻辑厂商的1nm以下工艺路线选择。
4. 简单理解:晶体管就像芯片里的“开关”,IBM的新架构让开关可以三维叠起来而非平铺,极大提高单位面积内的开关密度,这是芯片持续微缩的关键方向。
[4]存储价格结构性上涨已成定局,联想警告涨价将延续至2030年后,DRAM/NAND成本压力正向全产业链传导;同时IBM发布7埃垂直堆叠纳米片晶体管架构,为后1nm时代提供技术路径。
1. IBM公布7埃(0.7nm)垂直堆叠纳米片晶体管架构,采用精确斜面交错排列,突破传统平面晶体管结构限制。
2. 属于产业链中的光刻和【蚀刻】环节——纳米片结构需要在晶圆上反复进行极紫外光刻和原子级蚀刻来实现精确的三维堆叠。
3. 该技术可能影响台积电、三星、英特尔等先进逻辑厂商的1nm以下工艺路线选择。
4. 简单理解:晶体管就像芯片里的“开关”,IBM的新架构让开关可以三维叠起来而非平铺,极大提高单位面积内的开关密度,这是芯片持续微缩的关键方向。
[4]