存储价格结构性上涨已成定局,联想警告涨价将延续至2030年后,DRAM/NAND成本压力正向全产业链传导;同时IBM发布7埃垂直堆叠纳米片晶体管架构,为后1nm时代提供技术路径。

技术进展

IBM公布0.7nm纳米片晶体管架构,突破传统平面结构限制

1. IBM公布7埃(0.7nm)垂直堆叠纳米片晶体管架构,采用精确斜面交错排列,突破传统平面晶体管结构限制。

2. 属于产业链中的光刻和【蚀刻】环节——纳米片结构需要在晶圆上反复进行极紫外光刻和原子级蚀刻来实现精确的三维堆叠。

3. 该技术可能影响台积电三星英特尔等先进逻辑厂商的1nm以下工艺路线选择。

4. 简单理解:晶体管就像芯片里的“开关”,IBM的新架构让开关可以三维叠起来而非平铺,极大提高单位面积内的开关密度,这是芯片持续微缩的关键方向。

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供应链变化

联想警告存储价格将长期上涨,DRAM与NAND进入结构性高价周期

1. 联想(Lenovo)公开警告存储价格上涨已成“新常态”,DRAM与NAND价格已进入结构性上行周期,即使供应商扩产,价格也难以回到2025年初水平。

2. 存储器是半导体产业链中晶片(硅晶圆制备)下游的核心产品,直接影响封装与测试环节的出货量和成本结构。

3. 影响公司主要包括三星SK海力士美光等存储原厂,以及PC/手机等终端品牌商。

4. 对新人而言,存储芯片是电子设备的“粮食”,其价格波动会直接传导至所有含内存的产品(手机、电脑、服务器),理解存储周期是入门半导体产业的第一课。

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