本期聚焦三星2nm MPWSK海力士ADR中国SiC/GaN的激烈追赶,显示在AI算力驱动下,先进制程与化合物半导体的军备竞赛正在全面升级。

厂商动态

SK海力士预计7月上市ADR,募资近270亿美元并推出股东回报计划

1. 韩国媒体报道,SK海力士的美国存托凭证(ADR)上市已进入最后阶段,预计7月中旬完成,将发行新股约2.5%股权,募集约265亿美元。

2. 公司还计划推出约664亿美元的大规模股东回报计划,以缓解稀释担忧。

3. 资金将主要用于HBM扩产,涉及封装与测试环节,直接支撑AI存储需求。

4. 作为HBM市场龙头,巨额资金注入将加速HBM4/HBM4E量产,巩固其对三星、美光的竞争优势。

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技术进展

三星将MPW服务延伸至2nm,助力客户降低原型验证成本

1. 三星宣布将多项目晶圆(MPW)服务从4nm扩至2nm,允许多个客户共享一套光掩模进行流片验证,目标2027年量产。

2. 属于前道光刻与先进制程验证环节,直接影响2nm芯片的原型开发。

3. 可能惠及AI芯片初创公司、定制ASIC设计方,降低进入2nm工艺的门槛。

4. 2nm掩模成本极高,MPW模式可节省千万级费用,对推动边缘AI与定制化芯片生态意义重大。

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DeepSeek完成74亿美元首轮融资,AI算力需求持续看涨

1. DeepSeek完成首次外部融资,筹集超500亿元人民币(约74亿美元),估值超500亿美元,投资者包括腾讯、宁德时代等。

2. 属于AI模型与应用层,虽不直接涉及制造,但间接拉动AI训练/推理芯片需求。

3. 巨额资金将用于扩大算力规模,增加对NVIDIA/AMD GPU及ASIC的采购,利好先进封装与HBM供应商。

4. AI大模型竞逐白热化,推动基础设施投资持续增长,半导体产业链直接受益。

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供应链变化

中国功率半导体大举追赶,SiC/GaN崛起挑战传统IDM

1. TrendForce报告指出,在国家大基金及地方补贴支持下,中国SiC与GaN厂商进展迅速,部分领域已开始挑战国际IDM大厂。

2. 产业链环节涵盖晶片材料、外延、掺杂及封装,属于第三代半导体电力电子领域。

3. 英飞凌、意法半导体、Wolfspeed等传统巨头面临更多竞争;国内三安光电等企业快速成长。

4. AI数据中心800V HVDC供电架构将大量采用SiC/GaN器件,中国产能扩张或改变全球供应格局,但也可能引发产能过剩。

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市场与需求

PicoJool发布200G VCSEL激光器,加速AI数据中心光互连升级

1. 半导体公司PicoJool推出200G垂直腔面发射激光器(VCSEL),专为AI集群内部高速、低功耗光互连设计。

2. 属于光模块核心有源器件,对应芯片制造后的光学组装与测试环节,影响光通信芯片。

3. 可能推动II-VI、Lumentum等厂商跟进更高速度产品,加速数据中心从【400G向800G/1.6T】演进。

4. 200G VCSEL是短距光互连关键器件,能有效降低AI服务器的互连功耗与成本,助力算力扩展。

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