1. Google正推动TPU供应链多元化，下一代产品已确定采用Intel EMIB先进封装技术。
2. 同时，前段【晶圆制造】端也计划引入三星作为第二供应商，打破台积电单一来源。
3. 此变化将影响台积电、三星、Intel的晶圆代工与封装份额，并牵动联发科等ASIC设计服务商策略。
4. 新人须知：EMIB是Intel的嵌入式多芯片互连桥，能在封装内高速连接不同芯片（Chiplet），与台积电CoWoS形成竞争。
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Veronica半导体速报
本周半导体供应链多元化趋势加速，Google TPU拟将晶圆代工转向三星、先进封装导入Intel EMIB；材料端InP基板恢复出货缓解光通讯缺料，HBM4推动韩国设备链订单潮。
技术进展
SK海力士冲HBM4量产，追加清州P&T6封装测试设备装机
1. SK海力士正于韩国清州新封装测试基地P&T6追加后段制程设备，冲刺第六代高带宽存储器HBM4量产。
2. 产线已进入量产准备阶段，属于制造流程中的封装与测试环节。
3. 直接影响韩国设备商如TES、韩美半导体（Hanmi）等，HBM4先进封装设备需求持续看涨。
4. 新人须知：HBM通过垂直堆叠DRAM芯片大幅提升带宽，是AI训练/推理卡必须的“贴身内存”，其封装难度远高于传统内存。
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SMIC N+3工艺金属间距遭分析：或小于Intel 18A，直追台积电N6
1. SemiAnalysis对中芯国际N+3节点进行深度拆解分析，并对比台积电N6与Intel 18A。
2. N+3的【金属间距】（Metal Pitch）指标可能小于Intel 18A，属于前道光刻与【蚀刻】步骤的关键精度参数。
3. 涉及麒麟9030等芯片设计，影响对中国先进制程进展的评估。
4. 新人须知：金属间距指芯片内部最小金属线宽及间距，越小代表集成度越高；N+3被视为等效7nm级别工艺，其突破显示中国在DUV光刻极限上的追赶能力。完整分析链接
[5]AI存储器投资扩散，韩国设备链喜迎HBM4订单潮
1. 三星与SK海力士加速扩大HBM及先进DRAM产能，带动前段制程、先进封装与检测设备需求同步升温。
2. 涉及制造流程中薄膜沉积、封装、测试等多个环节的设备采购。
3. 韩国设备厂如TES、韩美半导体等订单能见度大增，HBM4相关设备交期趋紧。
4. 新人须知：HBM制造需要TSV硅通孔刻蚀、超薄芯片堆叠等特殊设备，与普通DRAM设备不通用，形成专用设备供应链新赛道。
[6]供应链变化
中国放行InP基板出口，光通讯缺料瓶颈有望缓解
1. 中国自2025年8月后，2026年首批磷化铟（InP）基板已于5月底出货，纾解光通讯市场产能瓶颈。
2. InP基板是制造【光通讯芯片】与高频元件（激光器、探测器）的关键材料，属于化合物半导体领域。
3. 台系供应链如全新光电、环宇等将直接受益，此前美系大厂AXT因出口管制无法从中国出货。
4. 新人须知：InP是第二代/第三代半导体材料，光子芯片传输速度远快于传统电子芯片，是AI数据中心光互联的基石。
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