本周半导体设备端释放强烈涨价信号,TEL全面提价并转为两班倒生产;AI供应链瓶颈向上游材料蔓延,NVIDIA亲自介入HVLP4铜箔与T-glass玻璃纤维布产能协调;存储厂NAND堆叠竞赛升温至400层以上,键合技术成关键分水岭。

厂商动态

台湾最大晶圆厂建设商UIS在手订单达1939亿新台币创历史新高

1. 汉唐集成(UIS)5月底在手订单达1939亿新台币(约61亿美元),1-5月营收同比增长83.4%

2. 属于晶圆厂建设环节,为晶圆制造提供洁净室、机电系统等核心基础设施

3. 台积电、美光等大厂在台湾的扩产浪潮是主要驱动力,UIS订单可见度延续至2030年

4. 厂务建设商的订单数据是半导体产能扩张的先行指标,1939亿在手订单意味着未来2-3年内将有大量新产能陆续落地,进一步确认产能扩张潮的持续性

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供应链变化

NAND闪存厂竞逐400层以上堆叠,三大原厂键合技术路线分化

1. 三星、SK海力士、铠侠正全力冲刺400层以上3D NAND,技术接近量产临界点

2. 属于薄膜沉积键合环节,三星采用晶圆对晶圆(W2W)键合,铠侠选择CBA技术,SK海力士押注材料替换钨以继续微缩

3. 直接影响三星、SK海力士、铠侠的NAND竞争力,设备商TEL、应用材料在沉积与键合设备上竞争加剧

4. 400层以上堆叠对键合精度和材料应力控制提出极高要求,这一技术分水岭将重塑NAND市场格局,谁能率先量产谁就能在AI存储需求爆发中占据主动

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SK海力士清州M15X工厂气体室起火,一周内连续发生两起事故

1. 继两天前事故后,SK海力士清州M15X工厂气体室发生火灾,员工紧急疏散

2. 属于【晶圆制造】环节,气体室涉及工艺所需特种气体的供应与控制

3. 直接影响SK海力士的DRAM和NAND生产进度,尤其可能波及HBM产能

4. 连续事故可能引发韩国政府对半导体工厂安全监管收紧,对SK海力士正在推进的HBM扩产计划构成不确定性,市场将密切关注其对存储器供应节奏的影响

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TEL宣布全面涨价并满负荷运转,半导体设备交期趋紧向封测端蔓延

1. 东京电子在与中国券商交流中明确表示正在推动设备涨价,DRAM和先进逻辑客户要求提前交货

2. 覆盖光刻以外的多个核心制造环节设备,前道设备全线满载,连后端Disco切割研磨设备和EVG键合设备也开始吃紧

3. 影响所有依赖TEL设备的晶圆厂(台积电、三星、SK海力士等),东京电子自身营收将大幅增长

4. 这是半导体设备超级周期的直接信号,“双班倒”生产意味着设备交期可能进一步延长,扩产项目的设备到位时间表面临风险

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NVIDIA绕过CCL厂直接锁定上游材料,HVLP4铜箔与T-glass缺口扩大至2027年

1. NVIDIA及大客户跳过覆铜板厂,直接与上游玻璃纤维布和铜箔供应商协调产能,采用来料加工模式提前一年锁定关键材料

2. 属于封装环节的高端PCB/IC载板材料供应,T-glass玻璃纤维布(ABF载板上游)2026年缺口超40%,HVLP4铜箔2027年缺口将达2500吨

3. 影响ABF载板厂(如欣兴、南电)、覆铜板厂(EMC、斗山),同时也影响NVIDIA AI服务器的出货节奏

4. AI服务器从芯片到PCB正在形成“全链短缺”,NVIDIA从“芯片设计者”角色被迫转变为“供应链管理者”,这一转变凸显高端材料扩产缓慢与AI需求爆发之间的深刻矛盾

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政策与贸易

美国国会共和党人施压ITC,要求严格执法台积电/联电专利案

1. 一群国会共和党议员致函美国国际贸易委员会(ITC),敦促在台积电相关专利案件中严格执行美国专利权

2. 该案涉及的专利原本属于台积电在台湾的竞争对手联电,属于知识产权与贸易执法交叉地带

3. 直接影响台积电和联电,也可能波及使用相关专利技术的半导体产品对美出口

4. 在全球半导体竞争加剧背景下,美国以专利执法为工具介入台企间纠纷,可能成为台积电等国际大厂面临的新合规风险点

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