Veronica半导体速报

1.SK海力士完成375层3D NAND生产验证，将在年底前于M15厂转线量产，并非新建晶圆厂。2.该技术属于薄膜沉积环节的关键工艺，使用新型金属钼替代部分钨作为字线材料，以解决高堆叠下的互连电阻与信号延迟问题。3.设备端SK海力士选择了东京电子（TEL）的炉管式设备而非泛林集团（Lam Research）的单晶圆设备；材料方面，液化空气集团、Entegris及默克有望供货。4.新人需知：NAND芯片为降低成本便需纵向堆叠更多层数，但导线的电阻会因变细而升高，导致速度变慢。采用电阻率更低的钼能直接提升读写速度，是三星及SK海力士都在攻克的关键材料。

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1.韩华半导体向SK海力士供应了集成式混合键合集群（D2W），该系统将等离子活化、清洗及键合设备集成于一体，目前正在产线进行质量评估。2.位于封装环节，将单个芯片贴合到晶圆上的过程，是制造【HBM（高宽频内存）】的核心步骤。3.竞争对手应用材料与Besi联合开发的Kinex集群已先期进入三星及SK海力士的产线。此外，韩华与韩美半导体均获得了SK海力士的HBM4热压键合设备订单。4.知识扫盲：将众多设备集成在一个高洁净度的封闭系统中运行，能极大减少灰尘导致的贴合缺陷，并将单次作业时间从10小时缩短至1小时，这正成为争夺先进封装产能的核心竞争力。

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1.AMD高层预测，由于AI服务器对HBM的需求极大，晶圆厂会将更多产能分配给HBM，从而挤压标准服务器内存DDR5的生产。

2.属于存储芯片的产能分配策略，直接影响【晶圆制造】和封装两大环节在普通服务器与AI服务器之间的投资倾斜度。3.三星、美光及中国的【长鑫存储】虽在缓慢扩展DDR5新产能，但在2028年前恐怕难以完全缓解高价局面。4.逻辑解读：存储大厂更愿意把产能拿去做利润丰厚的HBM（如SK海力士近期主要动作），导致普通DDR5供货紧缺。对于刚入行的人来说，这解释了为何AI火爆，普通人买内存条的成本反而会居高不下。

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1.英伟达（NVIDIA）高层黄仁勋及供应链消息同时指出，面向数据中心网络互联的共封装光学（CPO）技术正在按计划推进。2.专注于封装环节的光电合封技术，将光学元件和交换芯片直接封装在一个基板上，用以取代传统可插拔光模块。3.大客户如CoreWeave和甲骨文等的CPO部署正在向2028年的量产节点迈进；器件商Lumentum甚至预计今年第四季度就会产生可观的CPO增量收入。4.知识点滴：CPO可以大幅降低数据中心的功耗并提升传输速率。因为光电融合对洁净度要求极高，其“延迟发布”传闻曾引发市场恐慌，目前大厂联合辟谣稳定了产业链信心。

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1.安森美（onsemi）正式推出了全新的GaNEXUS氮化镓（GaN）功率器件产品线，旨在抢占中低压功率应用市场。2.对应【晶圆制造】后的功率输出场景，GaN和SiC都属于目前炙手可热的第三代半导体（宽禁带半导体）。3.除了安森美在新发布的GaN产品外，整个宽禁带赛道极为火热：Wolfspeed发布了第5代SiC MOSFET，Nexperia也在推进车规级SiC模块。4.直白解释：用SiC/GaN做成的大功率开关，能比传统硅材料更省电且耐得住高压和高温。目前AI服务器电源、电动车引擎正疯狂导入这些新材料来降能耗，这类订单处于快速爆发期。

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