本周半导体行业聚焦AI芯片带来的封装与材料变革:SK集团与台积电结盟强化HBM与先进封装,Cerebras用垂直供电突破晶圆级芯片极限;同时,SiC功率器件打入AI服务器,美日韩供应链竞争加剧,中国存储重返韩国市场。

技术进展

美国本土镓供应链启动,保障化合物半导体材料安全

1. 铟泰公司与艾姆斯国家实验室合作在美国建立镓供应链。

2. 属于产业链原材料环节,镓是砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)等化合物半导体的关键材料。

3. 影响Qorvo、Wolfspeed等化合物半导体器件制造商,以及美国国防、5G供应链。

4. 镓主要产自中国,出口管制促使美国寻求本土替代,此举确保雷达、高频通信芯片生产不受制于人。

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SK集团与台积电领导人会面,强化HBM与先进封装联盟

1. SK集团会长与台积电董事长时隔近两年首次会面,重点讨论HBM先进封装协作。

2. 属于产业链后道封装环节,尤其涉及CoWoS等2.5D/3D封装。

3. 直接影响SK海力士、台积电及NVIDIA等AI芯片生态企业。

4. AI算力爆发使HBM与先进封装产能紧缺,两大巨头的联盟将决定下一代AI GPU的供应节奏与良率。

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Cerebras采用垂直供电与柔性中介层,突破晶圆级芯片物理极限

1. Cerebras为整晶圆芯片开发了垂直供电、柔性移动引脚中介层和直接冲击水冷方案。

2. 属于先进封装与散热环节,涉及背面供电和晶圆级系统集成。

3. 独属Cerebras路线,但可能启发未来超大规模AI芯片的机械设计。

4. 整片晶圆极易因热胀冷缩碎裂,这些机械工程创新使得巨型芯片稳定运行成为可能,意义堪比制程微缩。

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三星暂停与Meta的定制SoC开发,代工业务再受挫

1. 三星与Meta持续数年的定制SoC开发讨论被Meta要求暂停,潜在交易价值数百亿美元。

2. 属于晶圆代工环节,涉及先进制程设计落地。

3. 冲击三星代工事业部,Meta自研AI芯片计划或转向台积电。

4. 三星在3nm良率和客户信任上落后台积电,大客户流失凸显先进制程代工格局的固化趋势。

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市场与需求

ROHM的750V SiC MOSFET打入AI服务器备用电源

1. ROHM的750V碳化硅MOSFET被AI服务器电池备用单元(BBU)采用。

2. 属于功率器件制造与模块封装环节,涉及SiC晶圆和外延。

3. 利好ROHM,并影响所有面向数据中心电源的功率半导体厂商。

4. SiC凭借高效率、耐高压优势从汽车市场延展至AI服务器,打开新的增长空间,加速替代硅基器件。

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长江存储重返韩国消费市场,中国存储厂商加速侵蚀份额

1. 长江存储时隔四年重新进入韩国消费类存储市场。

2. 属于存储芯片制造及封测环节,涉及3D NAND。

3. 直接挑战三星、SK海力士的消费级SSD及存储卡市场。

4. 中国存储厂商技术成熟后凭借成本和产能优势向外输出,预示全球NAND市场价格战和份额争夺将愈演愈烈。

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