Veronica半导体速报

1.GaN功率器件在高压耐受、快速开关方面取得进展，并出现芯粒化新方法；德州大学达拉斯分校与Attolight合作建立宽禁带半导体CL表征演示实验室。

2.属于功率半导体制造（化合物半导体【晶圆制造】、封装等步骤），加速从研发到量产的反馈循环。3.影响GaN器件厂商如EPC、纳微半导体、英飞凌，以及设备商Attolight；表征实验室将惠及整个宽禁带研发群体。4.GaN高功率高频特性优于硅，芯粒化可降低集成成本，新实验室能缩短缺陷分析周期，推动AI服务器电源、电动车等应用加速落地。

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1.英伟达高管透露，由于Agentic AI工作负载特性，数据中心GPU:CPU比例将在数月内从2:1变为1:1。2.影响芯片设计及数据中心架构，间接波及晶圆代工在CPU与GPU产能上的分配。3.直接利好英特尔、AMD等CPU厂商，也会影响英伟达自身Grace CPU布局及台积电等代工厂的订单结构。4.过去AI训练以GPU为主，比例反转意味着CPU需求骤增，整个数据中心从计算、存储到互联都可能随之调整，是新架构风向标。

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1.AI数据中心单个机架功耗已飙升至1兆瓦，内部SoC与加速器组件密度激增是主要推手。2.贯穿芯片封装、系统散热设计，并逆向驱动先进制程（如3nm以下）以抑制单位功耗。3.影响英伟达、AMD等AI芯片巨头，以及液冷、共封装光学（CPO）等散热与互联方案商。4.1兆瓦相当于数十个传统机架功耗，迫使行业必须采用液冷甚至浸没式冷却，并加速CPO等低功耗互联技术落地，成为数据中心物理极限的催化剂。

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1.铠侠在投资者日公布，未来三个财年资本开支总额达1.4万亿日元，同比大增66%，并可能建设第三座北上工厂。2.直接扩张NAND闪存制造产能，涵盖晶圆制造（沉积、蚀刻等）及后道封装。3.影响铠侠与西部数据联盟，带动东京电子、泛林等NAND设备商，并加剧与三星、SK海力士的产能竞赛。4.AI训练与推理催生海量存储需求，铠侠大幅扩产意在抢占未来市场份额，可能缓解后续NAND供应紧张，但短期将考验需求消化能力。

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1.DRAM现货价格持续上涨，主流DDR4 1Gx8 3200MT/s均价升至34.8美元，周涨3.57%，但供应商高报价抑制实际采购。2.处于存储芯片【制造与销售】环节，直接反映模组厂与终端客户的实际备货心态。3.影响三星、SK海力士、美光三大原厂，以及服务器、PC OEM客户。4.AI服务器持续消耗DDR5，DDR4则受原厂产能调配影响供给收缩，但高价已让现货买家转为观望，买卖双方进入博弈拉锯。

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1.NAND现货市场交易清淡，买卖双方价格共识悬殊，仅零星成交；512Gb TLC晶圆均价录得20.683美元，周涨0.22%。2.反映NAND闪存晶圆现货定价与流通状况，是原厂与渠道库存的即时晴雨表。3.影响铠侠、西部数据、三星、SK海力士等NAND供应商的营收预期。4.原厂积极扩产与现货需求疲软形成反差，显示市场仍在消化前期库存，若现货长期低迷，可能拖累合约价谈判空间。

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